CMP装置
最終更新日：2025年4月3日
| 設備ID | UT-918 |
|---|---|
| 分類 | 組立・パッケージング > 研磨(化学、機械) |
| 設備名称 | CMP装置 (CMP(Chemical Mechanical Polish)) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
| メーカー名 | ロジテック (Logitec Co.) |
| 型番 | Orbis |
| キーワード | CMP、化学機械研磨 |
| 仕様・特徴 | ・COF(摩擦係数)やパッド表面温度、研磨液の温度、装置内の室温などをモニターしており、これらのパラメーターで上限値を設定出来ます。 ・「ダウンロード」と「バックプレッシャー」の2種類の圧力(荷重)が働き、反ったウエハーでも均一に研磨が可能です。 ・複数のスラリーポンプを搭載し、プロセスに応じて自動でスラリーを切り替えることができます。 ・最大8インチ。個片可能。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-918 |