プラズマCVD装置
最終更新日：2025年4月3日
| 設備ID | UT-718 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD装置 (Plasma CVD apparatus) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
| メーカー名 | SPPテクノロジーズ (SPT Technologies Co. Ltd.) |
| 型番 | APX-Cetus |
| キーワード | 化学的気相成長法、CVD、PECVD |
| 仕様・特徴 | SiO2, SiNの成膜が可能です。 低ストレス膜の形成、ストレスの制御が可能です。 Al配線上への成長やTSVへの埋め込み成長などカバレージに優れています。 ・SiO2, Si2N4の成膜ができます。 ・使用ガス：SiH4, C4F8, O2, N2 ・基板サイズ：3、4インチ、8インチ、不定形基板(8インチ以下) |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-718 |