プラズマ誘起CVD装置
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | NU-262 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマ誘起CVD装置 (Plasma Enhanced CVD) |
| 設置機関 | 名古屋大学 |
| 設置場所 | ベンチャービジネスラボラトリ |
| メーカー名 | サムコ (Samco) |
| 型番 | PD-220N |
| キーワード | プラズマCVD SiO2成膜 |
| 仕様・特徴 | ・基板加熱：抵抗加熱式 (常用300℃) ・適正ウェハ寸法：最大8インチ径 ・供給ガス：TEOS |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=NU-262 |
