TEM用ハイスループットイオン研磨システム
最終更新日：2024年4月4日
| 設備ID | UT-157 |
|---|---|
| 分類 |
微小加工装置 > イオンミリング（TEM試料作製） 微小加工装置 > イオンミリング（TEM試料作製） |
| 設備名称 | TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | |
| メーカー名 | gatan (gatan) |
| 型番 | PIPSⅡ |
| キーワード | 試料作製、透過走査型電子顕微鏡、高分解能電子顕微鏡、分析電子顕微鏡、元素分析、TEM、STEM、半導体、セラミックス |
| 仕様・特徴 | 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー より試料を取り外すことなく既設装置である イオンスライサーに搭載可能であること。 【仕様】 本体 ミリングアングル -10°～+10° 調整可能 イオンエネルギー 100 eV ～8 keV イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2 試料回転 1～6 rpm まで可変 X,Y可動範囲 ±0.5 mm 冷却ステージ デュアーの保持時間 約6～7時間 ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C) ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用 温度領域 -120°C～室温 試料冷却 -120°Cまで可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-157 |
