エッチング装置（RIE SiO2用）
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-411 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | エッチング装置（RIE SiO2用） (Reactive ion etching system for SiO2) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 神戸製鋼 (Kobe Steel, Ltd.) |
| 型番 | |
| キーワード | |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可 CF4, H2使用可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=RO-411 |
