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セミオートプローバ測定装置 (Semiconductor Electrical Characterization System(Semi-Automatic))
- 設備ID
- TH-842
- 設置機関
- 豊橋技術科学大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京精密, アジレント (Accretech, Agilent)
- 型番
- A-PM-50A, 4155C
- 仕様・特徴
- セミオートウェハプローバシステム。専用のプローブカードが必要。半導体パラメータアナライザ アジレント4155C他、任意の直流電源、オシロスコープ等と組み合わせて利用可
対応基板： Siウェハ専用 φ4インチ以下
- 設備状況
- 稼働中
温度可変ステージプローバ測定装置 (Semiconductor Electrical Characterization System(Variable Temperature))
- 設備ID
- TH-843
- 設置機関
- 豊橋技術科学大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイソル, ケースレー, アジレント (Hisol, Keithley, Agilent)
- 型番
- KS8-4200-SYS, 4200A, 4284A
- 仕様・特徴
- マニュアルプローバシステム。半導体パラメータアナライザ ケースレー4200A、インピーダンスメータ アジレント4284A他、任意の電源等接続して利用可能。
プローブ本数：4本
対応基板：φ6インチ以下
ステージ温度：-60～190℃
- 設備状況
- 稼働中
汎用プローバ測定装置 (Semiconductor Electrical Characterization System(Manual Probing))
- 設備ID
- TH-844
- 設置機関
- 豊橋技術科学大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイソル, ケースレー, アジレント (Hisol, Keithley, Agilent)
- 型番
- HMP-400A, 2363B, 2602B, 4284A
- 仕様・特徴
- マニュアルプローバシステム。ソースメジャメントユニット2台(ケースレー 2363B,2602B)、インピーダンスメータ アジレント4284A他、任意の電源等接続して利用可能。
プローブ本数：4本
対応基板：φ4インチ以下
- 設備状況
- 稼働中
超音波顕微鏡 (Ultrasonic microscope)
- 設備ID
- TU-312
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- インサイト (Insight)
- 型番
- IS-350
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～300mm角
反射測定、透過測定の両方可
超音波周波数：10MHz、15MHz、25MHz、35MHz、50MHz、110MHz、200MHz
- 設備状況
- 稼働中
4探針測定装置 (4-terminal prober)
- 設備ID
- TU-320
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- - (-)
- 型番
- -
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
- 設備状況
- 稼働中
拡がり抵抗測定装置 (Spreading resistance measurement)
- 設備ID
- TU-321
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Solid State Measurement (Solid State Measurement)
- 型番
- SSM150
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片
ウェハを小片にして端面を斜め研磨した後に測定
- 設備状況
- 稼働中
半導体パラメータアナライザ (Semiconductor parameter analyzer)
- 設備ID
- TU-327
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- Keysight (Keysight)
- 型番
- B1500A SMU B1511B x4 GNDU
- 仕様・特徴
- 各種半導体集積回路特性評価
- 設備状況
- 稼働中
環境制御マニュアルプローバステーション (Environmental control manual prober station)
- 設備ID
- UT-305
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- （東陽テクニカ等） (Toyo Corporation)
- 型番
- ①半導体特性評価システム4200-SCS ②強誘電体特性評価システムFCE1EEA-200型 ③誘電体インピーダンス測定システム1260 ④極低温プローバー装置CPX-VF
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・低温プローバ(CRX-4K):6K～350K
・高温プローバ(HCP-401/400)：室温～400度
・半導体パラメータ測定(4200-SCS型)
・誘電体測定(FCE1EEA-200型)
・インピーダンス測定(ソーラートロン1260)
□主な用途
・ 強誘電体分極評価測定
・インピーダンス周波数測定
・キャパシタ周波数測定など
- 設備状況
- 稼働中
集積回路パターン微細加工（FIB）装置 (FIB for LSI Repair)
- 設備ID
- UT-607
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- 400ACE
- 仕様・特徴
- LSI配線を効率的に修正するための装置です。
ガスを利用した金属配線カット、および絶縁膜堆積、金属配線堆積が可能。
Ga集束イオンビーム(加速電ア0.5-30kV)、Beam current: 1.1pA-65nA、SIM像解像度：4.5nm、ガス：XeF2(絶縁膜/低誘電率膜のエッチング)、W(CO6):タングステンの堆積用。
大規模集積回路（VLSI）の配線修正に特に適した装置です。それ以外の利用は東大拠点では微細構造解析部門で公開しているXvision 200TBの利用がお勧めです。（案内します）
- 設備状況
- 稼働中
半導体パラメータアナライザー (Semiconductor Parameter Analyzer)
- 設備ID
- UT-852
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーサイト (KEYSIGHT)
- 型番
- B1500A
- 仕様・特徴
- キーサイト社製。IV測定、CV測定の他、最先端のデバイス評価で必要とされる高速パルスドIV測定まで、様々な測定に対応しており、各種デバイス、材料、半導体、能動部品／受動部品をはじめ、あらゆる電子デバイスの特性評価に最適です。
- 設備状況
- 稼働中