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金属二次元NC加工装置 (Metal two-dimensonal NC Milling Machine)
- 設備ID
- UT-909
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- KitMill (KitMill)
- 型番
- RD420
- 仕様・特徴
- 広い加工範囲と高い切削性能を兼ね備えたエンドミル機械加工機。
テーブルサイズ：W：220mm、D：420mm。
取付可能な材料高さ：標準：62mm。
スピンドルのストローク：X軸：228mm、Y軸：424mm、Z軸：67mm。
以下の材料の加工が可能：樹脂、FRP、木材、アルミ合金全般、真鍮。
定格回転数：3400、5600、10000r/minの3段階。
- 設備状況
- 稼働中
樹脂三次元NC加工装置 (Plastic three-dimensonal NC Milling Machine)
- 設備ID
- UT-910
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Roland (Roland)
- 型番
- MDX-40A
- 仕様・特徴
- 優れた切削性能・操作性と低価格を両立した樹枝専用切削 3Dモデリングマシン。3D CAD/CGソフトウェアで作成された3Dデータを利用して、手軽に｢イメージをカタチに｣できる切削RPマシン。｢開発期間の大幅な短縮｣、｢試作コストの低減｣が可能です。
テーブルサイズ：305(W)×305(D) mm。
動作範囲：305 (X)×305 (Y)×105 (Z) mm
- 設備状況
- 稼働中
精密フリップチップボンダー (Flip chip bonder)
- 設備ID
- UT-911
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Finetech (Finetech)
- 型番
- lambda２
- 仕様・特徴
- ハーフミラーで両方を見ながら位置合わせができる。
手動（マイクロメータによる位置合わせ）精度±0.5μm
チップサイズ15mmまで（治具作成可能）
ランプ加熱による400度熱接合（４００Nまで）、超音波接合（１００Nまで）、及び窒素雰囲気での接合が可能。
- 設備状況
- 稼働中
UVレーザープリント基板加工装置 (Prited Circuit Board Processing Tool using UV Laser)
- 設備ID
- UT-913
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- LPKF (LPKF)
- 型番
- ProtoLaser U4
- 仕様・特徴
- 波長355nmの多目的UVレーザー加工機。
加工範囲：最大229mm×305mm×10mm。
直径約20µmのレーザー焦点により銅箔18µmのFR4基板に65µm（50µmの加工ライン、15µmのスペース幅）のピッチの加工が可能。
- 設備状況
- 稼働中
金属三次元NC加工装置 (3D NC Mechanical Processsing Tool for Metal)
- 設備ID
- UT-914
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Rorand (Rorand)
- 型番
- MDX-540A
- 仕様・特徴
- 三次元カットオプション付き。機械加工により金属を含む材料の加工が可能。治具作製に最適。
- 設備状況
- 稼働中
60W CO2 NC レーザーカッター (NC Laser Cutter usnig 60W CO2 Laser)
- 設備ID
- UT-915
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Universal Systems (Universal Systems)
- 型番
- VLS4.60
- 仕様・特徴
- アクリル板など有機材料の精密カットが可能。テーブルサイズ609×457mm
- 設備状況
- 稼働中
精密研磨装置PM-6 (C.M. Polisher)
- 設備ID
- UT-916
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ロジテック (Logitec)
- 型番
- PM-6
- 仕様・特徴
- 化学研磨装置
対象物を精密に研磨する装置。研磨剤によって、高速に粗く削る（ラッピング）ことも、低速に平坦性を確保する（ポリッシング）ことも可能。4”丸型ウエーハまで研磨可能。
回転機構：1軸タイプ
最大サンプル径：4インチ
- 設備状況
- 稼働中
ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2 (Substrate Bonder)
- 設備ID
- UT-917
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズースマイクロテック (Suss MicroTec)
- 型番
- SB8 Gen2
- 仕様・特徴
- ウエーハ同士を接合する装置。位置合わせはマスクアライナーMA6（UT-504）で行う。MEMSプロセスや三次元配線形成に用いられる装置。
最大加熱温度：550℃、温度均一性：±1.5℃
温度再現性：±3℃、最大加熱速度：30K/分
最大冷却速度：25K/分、最大加圧力：20kN
圧力均一性：±2%
- 設備状況
- 稼働中
CMP装置 (CMP(Chemical Mechanical Polish))
- 設備ID
- UT-918
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ロジテック (Logitec Co.)
- 型番
- Orbis
- 仕様・特徴
- ・COF(摩擦係数)やパッド表面温度、研磨液の温度、装置内の室温などをモニターしており、これらのパラメーターで上限値を設定出来ます。
・「ダウンロード」と「バックプレッシャー」の2種類の圧力(荷重)が働き、反ったウエハーでも均一に研磨が可能です。
・複数のスラリーポンプを搭載し、プロセスに応じて自動でスラリーを切り替えることができます。
・最大8インチ。個片可能。
- 設備状況
- 稼働中
研磨パーティクル洗浄装置 (Abrasive particle cleaning equipment)
- 設備ID
- UT-919
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイソル株式会社 (Hisol Inc.)
- 型番
- ParticlClean
- 仕様・特徴
- 卓上型の洗浄装置です。CMPなどの研磨後のウエハー洗浄など、手洗いの代替としてご使用頂けます。
・柔らかいPVA パッドでスクラブ洗浄し、更に純水ミストを高速衝突させるスクラブと2流体(ミスト)のダブル洗浄で優しく強力にパーティクルを除去
・試料をセットしてボタンを押すだけで洗浄からスピン乾燥まで自動処理します。
・最大6インチウエハ。個片加納。
・「スクラブ洗浄」「2 流体洗浄」「リンス」「乾燥」といった一連のプロセスを一台の装置で行うことが出来ます。プロセスレシピを保存できます。
・HEPAフィルター内蔵
- 設備状況
- 稼働中