共用設備検索結果
中分類から探す
表示件数
銅メッキ装置 (Copper electroplating apparatus)
- 設備ID
- UT-707
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto-MS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 欠片～4”までの金電解メッキ
- 設備状況
- 稼働中
超臨界銅成膜装置 (Supercritical Flude (SCF) Deposition)
- 設備ID
- UT-708
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (DIY)
- 型番
- 仕様・特徴
- 自作2㎝角まで。東京大学霜垣・百瀬研究室との協力による。
- 設備状況
- 稼働中
パリレンコーター (Parylene Coater)
- 設備ID
- UT-709
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 米国SCS社 (Specialty Coating Systems)
- 型番
- PDS2010
- 仕様・特徴
- 8インチまでの成膜が可能。
- 設備状況
- 稼働中
ニッケルめっき装置 (Nikkel Electroplating)
- 設備ID
- UT-710
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 山本鍍金試験器 (Yamamoto-MS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 欠片～4”までのニッケル電解メッキ
- 設備状況
- 稼働中
LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-711
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2018)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できます。ターゲットはUT-704と共通。 Pt/Au/Cr/Tiを装着。デフォルト以外のターゲットを利用する場合は互換装置のUT-716を利用します。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx4、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃
- 設備状況
- 稼働中
8元電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- UT-712
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイコー (EIKO)
- 型番
- EB-380
- 仕様・特徴
- 蒸着材料を一度に8種類装填できる多様な実験を支援する電子ビーム蒸着。
- 設備状況
- 稼働中
カーボンコーター (Carbon coater )
- 設備ID
- UT-713
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 明和フォーシス (Meiwafosis )
- 型番
- CADE-4T
- 仕様・特徴
- 帯電しやすい試料をカーボンでコーティングして鮮明な走査電子顕微鏡増が得られます。
- 設備状況
- 稼働中
電子線顕微鏡観察用コーター (Coater for SEM analysis)
- 設備ID
- UT-714
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- Gatan (Gatan)
- 型番
- PECS
- 仕様・特徴
- スパッタによりカーボン膜など観察用の薄膜を堆積できます
- 設備状況
- 稼働中
2インチ3元電子線蒸着装置 (2-inch 3-target Electron Beam (EB) Evaporator)
- 設備ID
- UT-715
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- BB7873
- 仕様・特徴
- ウエーハサイズ2インチもしくはそれ以下のチップサンプルに対応可能。一般的なEB蒸着装置です。ロードロックを備えており、試料交換時間が短い。到達真空度は10E-5 Pa台。膜厚計、試料加熱ランプあり。
- 設備状況
- 稼働中
LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-716
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2024)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx3、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃
- 設備状況
- 稼働中