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スプレーコーター (Spray Coater)
- 設備ID
- UT-513
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 三明電子産技株式会社 (Sanmei Electronics Co. Ltd.)
- 型番
- DC111
- 仕様・特徴
- 本装置はMEMSデバイス、及び各種半導体研究用に開発されたスプレーコーターです。
１．MEMSデバイスに対応
２．凸凹面への膜厚均一塗布
３．ビア、トレンチ埋め込み塗布
４．ヒータ内蔵試料台を装備。最大100℃までの試料温度制御が可能です。
５．サーボモータは、低振動、低発熱、高精度の弊社「Si-servo」を使用しています。
- 設備状況
- 稼働中
フィルムラミネーター (Film laminator)
- 設備ID
- UT-514
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大成ラミネーター株式会社 (Taise Laminator Co. Ltd.)
- 型番
- MAⅡ-550
- 仕様・特徴
- 感光性ドライフィルのカバーフィルムを剥がしながら、フォトレジスト・キャリアフィルを常圧ホットロールにより加熱/加圧し、フォトレジスト層を接着剤として基板の両面に連続的にラミネートする装置です。
・有効50-400mm。小サイズ基板、試作、実験用。
・室温-150℃
- 設備状況
- 稼働中
自動フォトマスク現像装置 (Automatic Photomask Developper)
- 設備ID
- UT-515
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アクテス京三株式会社 (Actes Kyosan Co.)
- 型番
- ADE-3000S-MASK
- 仕様・特徴
- フォトマスク（4、5インチ）の自動現像（現像→リンスン→振り切り）ができます。（製品はウエハの自動現像装置ですが、本拠点ではフォトマスク専用の現像装置として利用しています。）
- 設備状況
- 稼働中
汎用ICPエッチング装置 (General purpose ICP etching machine)
- 設備ID
- UT-600
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-300I
- 仕様・特徴
- 誘導性結合プラズマ（ICP）エッチング装置で、こちらは汎用装置。
4”丸型ウエーハの入る装置。
利用可能ガスは、アルゴン、SF6、CF4、CHF3、O2。
主に酸化膜のエッチングや、イオンミリングによる金属のエッチングに利用。
- 設備状況
- 稼働中
川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, )
- 設備ID
- UT-601
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- Plasma Pro 100 ICP-180
- 仕様・特徴
- 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。
化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。
導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He
- 設備状況
- 稼働中
気相フッ酸エッチング装置 (Vapor Phase HF Etcher )
- 設備ID
- UT-602
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- IDONUS (IDONUS)
- 型番
- 仕様・特徴
- 8インチ装置、Vapor HF専用、気相フッ化水素（HF水溶液を蒸発）によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、MEMSデバイスの可動構造体、中空構造を形成するための装置です。独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4，6，8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。
- 設備状況
- 稼働中
汎用高品位ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-603
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- NE-550
- 仕様・特徴
- CE-300Iの上位機種（ULVACのフラッグシップモデル）です。大津・八井研究室の協力により利用可能になりました。SiO2、ガラスのエッチングも可能です。
4”装置 塩素・フッ素系汎用。 Cl2, BCl3, Ar, O2, CF4，CHF3, SF6, C3F8
- 設備状況
- 稼働中
高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine)
- 設備ID
- UT-604
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPTS (SPTS)
- 型番
- MUC-21 ASE-Pegasus
- 仕様・特徴
- 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：EBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口のトレンチを20分エッチングして深さ135μm可能）。4”装置。100nmクラスの開口可能。特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。
- 設備状況
- 稼働中
塩素系ICPエッチング装置 ( ICP-RIE machine)
- 設備ID
- UT-605
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- CE-S
- 仕様・特徴
- オペレーションの容易さで評判のCE-300Iの後継機。
8”装置（任意サンプル貼り付けエッチング可能）
Cl2, BCl3, SF6, CHF3, Ar, O2によるエッチングが可能ですが、主に使い分けとしてCl系のエッチングを行っています。
- 設備状況
- 稼働中
汎用平行平板RIE装置 (Reactive Ion Etching system)
- 設備ID
- UT-606
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (SAMCO)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8”装置。SF6, CHF3, CF4, Ar, O2によるエッチングが可能。ヘリウム背圧冷却が不要
- 設備状況
- 稼働中