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高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ (semiconductor device analyzer)

設備ID
WS-023
設置機関
早稲田大学
設備画像
高性能半導体デバイス アナライザ+プローバ
メーカー名
キーサイト・テクノロジー株式会社 (Keysight Technologies, Inc.)
型番
プローバ:長瀬産業社製(特注品)測定装置:アジレント社製B1500ALCRメータ4284A
仕様・特徴
・0.1 fAおよび0.5 μVまでの電流/電圧(IV)測定をサポート
・ハイ・パワー/メモリ・デバイス・テストのための高電圧パルス発生(最大±40 V)をサポート
・準静的および中間周波数キャパシタンス/電圧(CV)測定をサポート
設備状況
稼働中

誘導結合プラズマ 質量分析装置  (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)

設備ID
WS-024
設置機関
早稲田大学
設備画像
 誘導結合プラズマ 質量分析装置
メーカー名
サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 (Thermo Fisher Scientific K.K.)
型番
iCAP Qc ICP-MS
仕様・特徴
2-290までの質量数の元素をアルゴンプラズマ内に噴霧、イオン化させ、元素固有の質量数をモニターする事により元素を超高感度(一例:Li(7):約3ppt,
Na(23):約2ppt, Zn(64):約1ppt, Pb(208):約0.5ppt)で検出が可能な装置
設備状況
稼働中

フーリエ変換赤外分光計  (Fourier Transform Infrared Spectroscopy)

設備ID
WS-025
設置機関
早稲田大学
設備画像
フーリエ変換赤外分光計
メーカー名
日本分光株式会社 (JASCO Corporation)
型番
FT/IR-6200+加熱ATR測定部改造
仕様・特徴
測定波数範囲: 7800~350 cm-1
測定波数拡張範囲: 15000~20cm-1
表示波数範囲: 15000~0 cm-1
波数正確さ: ±0.01 cm-1以内(理論値)
設備状況
稼働中

高性能分光エリプソメータ (Spectroscopic Ellipsometry)

設備ID
WS-026
設置機関
早稲田大学
設備画像
高性能分光エリプソメータ
メーカー名
株式会社堀場製作所 (HORIBA, Ltd.)
型番
UVISEL ER AGMS iHR320
仕様・特徴
波長範囲:190-2100nm
測定角度:60°、70°、75°
150mmウェハ対応、XY軸はマニュアルステージ
設備状況
稼働中

ダイシングソー  (dicing saw)

設備ID
WS-027
設置機関
早稲田大学
設備画像
ダイシングソー
メーカー名
株式会社ディスコ (DISCO Corporation)
型番
DAD321
仕様・特徴
ø 6対応のマニュアルダイシングソー
最大ワークサイズ 160 x 160
切削可能範囲
X軸:192mm
Y軸:162mm
Z軸有効ストローク:28.2mm
回転数範囲:3,000 - 40,000RPM
設備状況
稼働中

データコンバートシステム (data converter)

設備ID
WS-028
設置機関
早稲田大学
設備画像
データコンバートシステム
メーカー名
有限会社君塚製作所 (KSS Internet)
型番
特注品
仕様・特徴
装置データコンバートシステム及びバッチ送信システム
データ送信用PC DL20 Gen10 2LFF SATA 専用カスタマイズモデル
データ保存用サーバDL160 Gen10 8SFF SATA 専用カスタマイズモデル
データ保存用 ストレージ QNAP T1683XURN8016
ネットワーク装置 HUB NetGeAR XS712T-200AJS
設備状況
稼働中

電気計測装置群(オシロスコープ、スペクトルアナライザー、LCRメーター、等) (Electrical measuring device group)

設備ID
WS-029
設置機関
早稲田大学
設備画像
電気計測装置群(オシロスコープ、スペクトルアナライザー、LCRメーター、等)
メーカー名
キーサイト株式会社エヌエフ回路設計ブロック (Keysight Technologies, Inc.NF CORPORATION)
型番
DSO X-3054TN9322CZM2371
仕様・特徴
1,オシロスコープ:DSOX3054T
帯域幅:500 MHz、
サンプリングレート: 4 GSa/s
入力インピーダンス: 1 M Ω
2,スペアナ:N9322C
周波数:9 kHz to 7 GHz
最大解析帯域幅:1 MHz
3,LCRメータM2371
測定周波数 1mHz~100kHz、設定分解能5桁
測定信号レベル 10mVrms~5Vrms/1μArms~200mArms
DCバイアス用電源内蔵 0~+2.5V
設備状況
稼働中

プラズマCVD装置 (TEOS-CVD)

設備ID
WS-030
設置機関
早稲田大学
設備画像
プラズマCVD装置
メーカー名
サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番
PD-220
仕様・特徴
プラズマCVDの原理による成膜
高いカバレッジ成形
基板サイズ6インチ以下
面内分布 5%以内(仕様)
標準条件での基板温度300℃
設備状況
稼働中

共焦点レーザー走査型顕微鏡 (Confocal Laser Scanning Microscopy: CLSM)

設備ID
WS-031
設置機関
早稲田大学
設備画像
共焦点レーザー走査型顕微鏡
メーカー名
株式会社 エビデント (EVIDENT)
型番
FLUOVIEW FV3000RS
仕様・特徴
・対物レンズ:10倍、20倍、40倍、60倍
・励起光源:405nm, 445nm, 488nm, 514nm, 561nm, 640nm
・高精細イメージング:最大4096x4096ピクセル
・高速イメージング:30fps(512x512ピクセル)
・Zドリフトコンペンセーター(IX3-ZDC)によるフォーカスの自動補正機能
・電動ステージ付き
・主に光検出磁気共鳴計測用として、532nmレーザ(CNI / MGL-S-532-SM-100mW)と音響光学素子(Gooch & Housego / 97-03912-18)がFV3000のオプショナルポートに光ファイバを介して接続されており、加えて532nmレーザとマイクロ波(DS Instruments / SG4400)を同期してパルス化するファンクションゼネレータ(Swabian Instruments / Pulse Streamer 8/2)とマイクロ波スイッチ群とアンプ(Mini-Circuits / ZHL-16W-43-S+)、さらには単一光子検出器(浜松ホトニクス C16531-050GD)も装備されている(マイクロ波用アンテナを含むサンプルホルダーについては要相談)。計測制御ソフトウェアはUlm大学で開発されたQudiを採用.
設備状況
稼働中

グロー放電分光分析装置 (Glow Discharge OpticalEmission Spectrometry)

設備ID
WS-032
設置機関
早稲田大学
設備画像
グロー放電分光分析装置
メーカー名
株式会社堀場製作所 (HORIBA, Ltd.)
型番
GDA750
仕様・特徴
軽元素(N, O, H等)の分析可能、分析範囲4mmφ以上、10mm□以上4"までのSi、ガラス基板
設備状況
稼働中
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