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ポテンショ・ガルバノスタット (3D Printer using hot-melt plastic ink)
- 設備ID
- UT-960
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サイエンティフィックインスツルメント (Scietific Instruments)
- 型番
- VersaSTAT4
- 仕様・特徴
- 電気化学アプリケーションに必須である速度、多用途性、及び精度を提供しています。電池及び燃料電池開発の充電／放電実験に対応します。
・fA分解能及びpA精度の弱電流パフォーマンス
・1Aまでの最大電流、 2A-20Aまでの追加ブースターオプション付
・高速なデータ取得及び走査レート向けの2µs時間基準
- 設備状況
- 稼働中
イオンビームスパッタ装置 (Ion Beam Sputter)
- 設備ID
- WS-001
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東株式会社 (Hakuto Co., Ltd.)
- 型番
- MILLATRON 820
- 仕様・特徴
- デュアルイオンビームスパッタ装置
試料サイズ ４インチ以下
４ターゲット
基板昇温可能（約400℃）
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vapor Deposition system )
- 設備ID
- WS-002
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンアネルバ株式会社 (CANON ANELVA CORPORATION)
- 型番
- EVC-1501
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下
Au, Cr, Ti専用
4インチウエハ18枚同時成膜可能（プラネタリーホルダー）
- 設備状況
- 稼働中
電子ビーム蒸着装置 (Electron Beam Vapor Deposition system )
- 設備ID
- WS-003
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- EBX-6D
- 仕様・特徴
- 試料サイズ ４インチ以下(プラネタリーホルダーにより、複数枚成膜可能)
金属(Cu, Cr, Ni, Al, Au, Ag等)および絶縁膜(SiO2, ZnO等)の成膜
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)
- 設備ID
- WS-004
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- アプライドマテリアルズジャパン株式会社 (Applied Materials Japan, Inc.)
- 型番
- SUNALE R-150
- 仕様・特徴
- Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片～4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi
- 設備状況
- 稼働中
精密めっき装置群＋ドラフト群 (plating system)
- 設備ID
- WS-005
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 特注品 (Custom-made products)
- 型番
- 特注品
- 仕様・特徴
- 各種無電解、電解めっきに対応、Auめっき、合金めっきに対応、基板サイズ4インチまで
- 設備状況
- 稼働中
プラズマアッシャー (Plasma Asher)
- 設備ID
- WS-006
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- ヤマト科学株式会社 (Yamato Scientific Co., Ltd.)
- 型番
- PR500
- 仕様・特徴
- 使用ガス：O2ガス
試料サイズ：φ4インチ以下
用途：レジストの灰化除去
ドライエッチング後のO2アッシング）
有機系汚染物質のクリーニング
Si表面の親水化処理等
- 設備状況
- 稼働中
ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-007
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様・特徴
- 汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは～4inch
- 設備状況
- 稼働中
CCP-RIE装置 (Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-008
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング
- 設備状況
- 稼働中
Deep-RIE装置 (deep reactive ion etching)
- 設備ID
- WS-009
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ株式会社 (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-400iPB
- 仕様・特徴
- Siの深堀り可能、基板サイズ小片～4インチ、Si基板のみ
- 設備状況
- 稼働中