共用設備検索結果
表示件数
LL式高密度汎用スパッタリング装置(2024) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
- 設備ID
- UT-716
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL !-Miller (2024)
- 仕様・特徴
- 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-711と互換。
サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx3、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積(ALD)製膜装置 (Atomic Layer Deposition Apparatus)
- 設備ID
- UT-717
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- FlexAL ALD
- 仕様・特徴
- サーマル方式とリモートズマ方式のALDができます。チャンバーを150℃まで加熱し水分除去とプリカーサの徐記促進が可能です。
・ロードロック方式
・基板サイズ 2,3,4,6,8インチ、8インチ以下の不定形基板
・下部電極は550℃まで昇温可能。バイアス電圧は0から-200V。
・Ru, TaN, SiO2の成膜が可能。成膜材料についてはご相談承ります。
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD装置 (Plasma CVD apparatus)
- 設備ID
- UT-718
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- SPPテクノロジーズ (SPT Technologies Co. Ltd.)
- 型番
- APX-Cetus
- 仕様・特徴
- SiO2, SiNの成膜が可能です。
低ストレス膜の形成、ストレスの制御が可能です。
Al配線上への成長やTSVへの埋め込み成長などカバレージに優れています。
・SiO2, Si2N4の成膜ができます。
・使用ガス：SiH4, C4F8, O2, N2
・基板サイズ：3、4インチ、8インチ、不定形基板(8インチ以下)
- 設備状況
- 稼働中
クリーンドラフト潤沢超純水付 (Draft Chambers with DI water taps)
- 設備ID
- UT-800
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ()
- 型番
- 仕様・特徴
- 化学作業を行うためのいわゆる「ドラフトチャンバー」
クリーンルーム1にはアルカリ2台、酸1台、有機1台、
クリーンルーム2にはアルカリ2台、酸2台、有機1台。
全てに潤沢な超純水を取れる口があり、一度使うと湯水のごとく超純水が使えることに誰もが驚きます。
窒素ガンも用意してあり、洗ったサンプルを窒素ブローで乾かすこともできます。
- 設備状況
- 稼働中
イナートガスオーブン (Inert Gas Oven)
- 設備ID
- UT-801
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム (Koyo Thermo Systems)
- 型番
- INH-9CD
- 仕様・特徴
- 窒素ガスを導入して、窒素雰囲気でプログラムした通りにベークできる電気炉。600℃まで昇温可能。残留ガス濃度20ppm (カタログスペック)
- 設備状況
- 稼働中
高速ランプアニール装置 (Lamp Annealer)
- 設備ID
- UT-802
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 米倉製作所 (YONEKURA MFG)
- 型番
- MS-HP2-9
- 仕様・特徴
- φ3inchまで（条件によってφ4inchまで可能）。大気および窒素雰囲気。昇温速度200℃/minまで、到達温度1000℃まで可能。
- 設備状況
- 稼働中
サンドブラスト (Sandblasting Machine)
- 設備ID
- UT-803
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 不二製作所 (Fuji Manufacturing)
- 型番
- 仕様・特徴
- クリーンルーム対応装置。アルミナ粉末によってブラスト加工ができます
- 設備状況
- 稼働中
UVオゾンクリーナー (UV ozone cleaner)
- 設備ID
- UT-804
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (SAMCO)
- 型番
- UV-1
- 仕様・特徴
- レジスト等のアッシング処理が可能
- 設備状況
- 稼働中
プラズマ表面改質装置 (Plasama Surface Modificaton Equipment)
- 設備ID
- UT-805
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (SAMCO)
- 型番
- AQ-50
- 仕様・特徴
- 特にポリマーの接合前の表面処理、超臨界流体製膜前処理、親水化処理が可能。
- 設備状況
- 稼働中
拡散炉 (Diffusion furnace)
- 設備ID
- UT-806
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ジェイテクト(旧光洋サーモシステム(株)) (JTEKT(formaly Koyo Thermosystem))
- 型番
- MT-2-8X32-A
- 仕様・特徴
- ポロンの熱拡散が可能。
最高温度1150℃
- 設備状況
- 稼働中