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ウェハー酸化炉 (Oxidation Furnace)
- 設備ID
- AT-041
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- マテルス (MATELS)
- 型番
- MAT-200KS
- 仕様・特徴
- ・型式:MAT-200KS
・試料サイズ:最大4インチφ×25枚(長さ150 mm)
・ヒーター:カンタルRAC200,220L×3ゾーン
・常用温度:1100 ℃（到達時間:2時間）
・温度分布:1100 ℃±2 ℃(範囲長さ200 mm)
・炉心管:石英、136 mmΦ×長さ1090 mm
・試料室:ドライ、ウェット雰囲気
・使用ガス:O2, N2, H2O
- 設備状況
- 稼働中
赤外線ランプ加熱炉（RTA） (RTA Furnace)
- 設備ID
- AT-089
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO)
- 型番
- RTP-6S
- 仕様・特徴
- ・型式:RTP-6S
・試料サイズ:小片～4インチφ
・到達真空度:-4乗Pa台
・加熱方式: 試料上面より放物面反射赤外線輻射加熱方式
・加熱制御方式:プログラム起電力比較クローズドループ・コントロール方式(PID3項制御)
・加熱範囲:150 mmφ
・温度範囲:RT～1000℃
・最大加熱速度:20℃/sec(SiCサセプタ使用時は10℃/sec)
・均熱精度:ΔT=10℃(@700℃保定時 N2ガスフロー中)
・温度センサ:熱電対(シースR熱電対)
・雰囲気 ガス:N2, Ar, O2
- 設備状況
- 稼働中
超高温炉 (Rapid Thermal Annealing (RTA) System)
- 設備ID
- BA-022
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモ理工 (THERMO RIKO CO., LTD)
- 型番
- SR1800TS
- 仕様・特徴
- ・ 真空中で試料加熱を行うことができ、最大昇温速度は300℃/sec、最高到達温度は1800℃.
・ 昇温速度、熱処理時間等の詳細な熱処理条件をプログラムすることが可能.
・ 試料ホルダーはグラファイト製に加え、石英製も備えられており、酸化性雰囲気での熱処理も可能.
加熱方式：赤外線導入加熱方式、最高到達温度：1800℃、最大昇温速度：300℃/sec、最大到達真空度：5 × 10-5 Pa、加熱面積：φ15mm.
- 設備状況
- 稼働中
赤外線加熱単結晶製造装置（FZ炉） (Infrared image furnace for single crystal growth (Floating zone furnace))
- 設備ID
- CT-029
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- キヤノンマシナリー (Canon Machinery)
- 型番
- SC-M50XS
- 仕様・特徴
- ・光源：キセノンランプ
・最高加熱温度：2,700 ℃
・結晶成長速度：0.2~50 mm/h
- 設備状況
- 稼働中
卓上型ランプ加熱装置 (Infrared Gold Image Furnace / RTA System Mini Lamp Annealer)
- 設備ID
- HK-628
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- アドバンス理工 (ADVANCE RIKO,Inc.)
- 型番
- MILA-5000
- 仕様・特徴
- 温度範囲：RT ～ 1200℃
試料寸法：角 20mm × 厚 2mm
加熱雰囲気：大気中、真空中、不活性ガス中
到達真空度：6.5Pa（RP使用、室温無負荷）
- 設備状況
- 稼働中
化合物半導体光素子用酸化炉 (Oxidation System for Vertical Cavity Surface Emitting Laser)
- 設備ID
- IT-022
- 設置機関
- 東京科学大学（旧：東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- エピクエスト (EpiQuest)
- 型番
- Hivox3001
- 仕様・特徴
- 化合物半導体用AlAs酸化用 最大加熱温度５００度
最大ウェハサイズ３インチ
赤外線カメラによるin-situモニタ付き
- 設備状況
- 稼働中
超臨界洗浄・乾燥装置 (Supercritical Rinser & Dryer)
- 設備ID
- KT-117
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- (株)レクザム (Rexxam Co., Ltd.)
- 型番
- SCRD401
- 仕様・特徴
- 超臨界CO2により微細構造物を変形・破壊せずに洗浄・乾燥が可能。
・基板サイズ：MAXΦ4
- 設備状況
- 稼働中
熱酸化炉 (Thermal Oxidation Furnace )
- 設備ID
- KT-207
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 光洋サーモシステム(株) (Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
- 型番
- MT-8X28-A
- 仕様・特徴
- ドライまたはウェット状態でウエハの高温加熱が可能（常用最高温度1,050℃）
・基板サイズ：MAXΦ6×25枚/バッチ
・常用最高温度：1,050℃
・雰囲気：N2、O2（乾燥または湿潤状態）
- 設備状況
- 稼働中
レーザアニール装置 (KrF Laser Annealing System )
- 設備ID
- KT-215
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- AOV(株) (AOV Co., ltd.)
- 型番
- LAEX-1000
- 仕様・特徴
- KrFレーザーを結像マスクを介して真空チャンバー内のサンプルに縮小投影することで、ターゲット表面のアニーリングを実現。
・波長：248nm
・ビーム縮小率：7.95
・分解能：5.3μm＠L/S
- 設備状況
- 稼働中
高性能マッフル炉 (Muffle Furnace)
- 設備ID
- KT-229
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- アズワン(株) (AS ONE CORPORATION)
- 型番
- HPM-2N
- 仕様・特徴
- アズワン 高性能マッフル炉 HPM-2N
設定温度 １００℃～１２８０℃
- 設備状況
- 稼働中