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反応性イオンエッチング装置 (RIE) (Reactive Ion Etching System（RIE）)
- 設備ID
- AT-018
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-200L
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-200L
・試料サイズ:8インチφ, 8mmt
・高周波電源:最大300 W（13.56 MHz）
・RF制御:インピーダンスオートマッチング
・電極:セミ無遮蔽型電極、上部Al電極、下部SUS電極電極
・電極間隔:55 mm
・使用ガス:SF6, CF4, O2
・パージガス:N2ガス
- 設備状況
- 稼働中
多目的エッチング装置(ICP-RIE) (ICP Reactive Ion Etching System（ICP-RIE）)
- 設備ID
- AT-019
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-101iPHS-L
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-101iPHS-L
・試料サイズ:4インチφ, 5mmt
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 最大500W（13.56 MHz）
・バイアス高周波電源: 最大200W（13.56 MHz）
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御: -18℃～常温
・使用ガス: SF6, CHF3, CF4, Ar, O2
- 設備状況
- 稼働中
化合物半導体エッチング装置（ICP-RIE） (ICP-RIE (Compound Semiconductors))
- 設備ID
- AT-082
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-400iPS
- 仕様・特徴
- ・型式:RIE-400iPS
・試料サイズ:４インチ
・放電方式:誘導結合式プラズマ(ICP)
・試料導入方式:ロードロック式
・高周波電源:最大500W （13.56MHz）
・バイアス高周波電源:最大300W（13.56MHz）
・使用ガス:Cl2、BCl3、HBr、Ar、O2、CF4、SF6
- 設備状況
- 稼働中
Ｓｉ深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕 (Si Deep RIE)
- 設備ID
- AT-101
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォードインスツルメント (Oxford Instruments Plasma)
- 型番
- PlasmaPro_100_Cobra
- 仕様・特徴
- ・型式:PlasmaPro_100_Cobra
・試料サイズ:4インチφ
・放電方式: 誘導結合式プラズマ(ICP)
・ICP高周波電源: 3kW（2 MHz）
・バイアス高周波電源: 300W（13.56MHz）、最小 15W
・試料導入方式: ロードロック式
・試料温度制御
・使用ガス: CF4, CHF3, SF6, C4F8, O2, Ar
- 設備状況
- 稼働中
反応性イオンエッチング装置 (Reactive Ion Etching System)
- 設備ID
- BA-012
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- 8インチウエハ対応
高周波出力；300W
発振周波数；13.56MHz
ガス；CF4、CHF3、O2
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング (Ion Milling System)
- 設備ID
- BA-018
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- IM4000PLUS
- 仕様・特徴
- 断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
＜断面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大ミリングレート（材料Si）：500μm/hr以上
最大試料サイズ：20（W）×12（D）×7（H）mm
試料移動範囲：X ±7mm 、 Y 0～＋3mm
＜平面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大試料サイズ：Φ50 × 25（H） mm
試料移動範囲：X 0～＋5mm
- 設備状況
- 稼働中
終点検出器付き イオンミリング (Ion Milling System with an end-point detector)
- 設備ID
- BA-025
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東 (hakuto)
- 型番
- 10IBE-EPD_UoT-Y
- 仕様・特徴
- レシピに沿ってイオンミリングを実施。
[ビーム電源]
出力:100 V ~ 1400 V DC
電流範囲: 30 mA ~ 200 mA
[終点検出装置]
SIMS型四重極質量分析計終点検出装置
- 設備状況
- 稼働中
リアクティブエッチング装置 (Reactive ion etching system)
- 設備ID
- CT-019
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- ・高い選択比と高精度のエッチングが可能
・全自動運転
・φ8インチウェハーの加工が可能
- 設備状況
- 稼働中
ウエハスピン現像装置 (Wafer spin developer )
- 設備ID
- GA-015
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 滝沢産業 (TAKIZAWA SANGYO)
- 型番
- AD-1200（無機用），AD-1200（有機用）
- 仕様・特徴
- 基板サイズ：φ4"以下
基板ホルダー：真空吸着式
基板回転数：0～3000rpm 可変式
処理時間：999sec/stop（1sec単位）
使用薬液：無機系アルカリ液対応と有機溶剤対応
処理方法：スプレースイングアーム式
- 設備状況
- 稼働中
ICP高密度プラズマエッチング装置（塩素） (ICP-RIE Etching Systems(Cl))
- 設備ID
- HK-619
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- RIE-101iHS
- 仕様・特徴
- 使用ガス：Ar、O2、SiCl4、Cl2
試料サイズ：最大４インチ
- 設備状況
- 稼働中