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マスクレス露光装置 (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- AT-006
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューション (Nano System-Solutions)
- 型番
- DL1000
- 仕様・特徴
- ・型式:DL1000
・試料サイズ:4インチφ、100mm□
・光源:波長405nm(LED)
・露光最小画素:1μm□
・最大露光領域:100mm□
・重ね合わせ精度:±1μm
- 設備状況
- 稼働中
コンタクトマスクアライナー[MJB4] (Contact Mask Aligner〔MJB4〕)
- 設備ID
- AT-009
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![コンタクトマスクアライナー[MJB4]](data/facility_item/AT-009.jpg)
- メーカー名
- ズース (SUSS MicroTec)
- 型番
- MJB4
- 仕様・特徴
- ・型式:MJB4
・基板サイズ:2インチφ～4インチφ、不定形小片～100mm
・解像度:約800nm (バキュームコンタクト使用時)
・波長:g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)
・ 照度 :約25mW/cm2
・露光モード:プロキシミティ、ソフトコンタクト、 ハードコンタクト、ソフトバキュームコンタクト、 バキュームコンタクト
・露光領域:2.5～5インチ対応マスクホルダー(最大40mm□)
4インチ, 5インチ対応マスクホルダー 最大110mmφ
- 設備状況
- 稼働中
i線露光装置 (i-Line Stepper)
- 設備ID
- AT-011
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ニコン (Nikon)
- 型番
- NSR-2205i12D
- 仕様・特徴
- ・形式:NSR-2205i12D
・試料サイズ:2インチφ～8インチφ
20 mm, 18mm, 15 mm, 10 mm□クーポン
・露光光源:i線(波長365 nm)
・解像度:350 nm以下
・最大N.A.:0.63
・縮小倍率:5分の1倍
・露光範囲:22 mm□(ウェハー上)
・レチクル:6インチ石英ガラス(6025)
・総合アライメント精度:55 nm以下
- 設備状況
- 稼働中
高速電子ビーム描画装置（エリオニクス） (Electron Beam Lithography System (Elionix))
- 設備ID
- AT-093
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-F130AN
- 仕様・特徴
- ・型式:LS-F130AN
・試料サイズ:～12インチφ、9インチ□のマスクブランクス
・電子銃:ZrO/W熱電界放射型
・加速電圧:130kV, 100kV, 50kV, 25kV
・最小ビーム径:1.7nm (@ 130kV)
・最小描画線幅:5nm (@ 130kV)
・最大スキャンクロック:100MHz
・ビーム電流強度:5pA～100nA
・フィールドサイズ:100μm □、250μm□、500μm□、1000μm□(100kV以下)、1500μm□(50kV以下)、3000μm□ (25kV以下)
・ビームポジション:1,000,000×1,000,000 (20bit DAC)
・位置決め分解能:0.1nm
・つなぎ精度:±10nm
・重ねあわせ精度:±15nm
・描画可能エリア:210mm×210mm
- 設備状況
- 稼働中
レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)
- 設備ID
- AT-110
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- DWL66+
- 仕様・特徴
- ・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ： 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm （L&S）、0.3μm（孤立パターン）
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度：1μm
・グレースケール露光:1000階調
- 設備状況
- 稼働中
大面積電子ビーム描画装置[BODEN50] (Electron Beam Lithography System〔ELS-BODEN50〕)
- 設備ID
- AT-115
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
![大面積電子ビーム描画装置[BODEN50]](data/facility_item/1745201401_24.jpg)
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- ELS-BODEN50
- 仕様・特徴
- 最大試料サイズ：8インチφ
加速電圧：50kV
最小描画サイズ：20nm(@1nA)
フィールドサイズ：最大1.5mm□
最大ビーム電流：800nA
最大スキャンクロック：100MHz
- 設備状況
- 稼働中
EB用自動現像装置（カナメックス） (Automatic Development System for EB Litography)
- 設備ID
- AT-116
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- カナメックス (KANAMEX)
- 型番
- 仕様・特徴
- 試料サイズ：2～6インチ、小片10mm□、20ｍｍ□ レシピ数：100
現像：2系統（酢酸nアミル、TMAH2.38%）
リンス：２系統（IPA、純水）
現像液温度制御：10～30℃
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置［MLA150］ (Maskless Lithography System ［MLA150］)
- 設備ID
- AT-119
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- MLA150
- 仕様・特徴
- ・型式：MLA150
・光源：半導体レーザー（375nm )
・ステージ位置決め精度：10nm（X軸，Y軸）
・最大ウエハーサイズ：φ８インチ
・最大描画エリア：200mm×200mm
・アドレスグリッド：40nm
・最小描画パターン：500nm（L&Sパターン）
・エッジラフネス：60nm（３σ）
・ＣＤ均一性：100nm(３σ)
・重ね合わせ描画精度：0.25μm(5mm×5mm)、
0.5μm(100mm×100mm)
・ 裏面パターンとの重ね合わせ描画精度：1μm
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置（DL-2500iA1） (Maskless Lithography System (DL-2500iA1))
- 設備ID
- AT-120
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- ナノシステムソリューションズ (Nanosystem Solutions)
- 型番
- DL-2500iA1
- 仕様・特徴
- 試料サイズ：4インチφ 、100mm□
光源：365nm（LED）
露光最小画素：□ 1μm
最大露光領域：100mm×100mm
重ね合わせ精度：3σ＜0.5μm
- 設備状況
- 稼働中
電子線描画装置 (Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- BA-005
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ELIONIX (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 電子銃エミッター：ZrO/W熱電界放射型
加速電圧：5～50 kＶ
最小線幅：10 nm
試料サイズ：最大4インチ
ステージ移動範囲： X:100 mm以上 Y:110 mm以上
重ねあわせ精度：40 nm
フィールド継ぎ精度：40 nm
- 設備状況
- 稼働中