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"MBE(分子線エピタキシー)"で検索した結果 2件
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8元MBE装置 (8 sources molecular beam epitaxy)
- 設備ID
- NU-214
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 自作 (Lab made)
- 型番
- 仕様・特徴
- ・蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
・試料サイズ30 mm角
・高圧電源3台
・基板加熱：1000℃
・1kV Arイオンエッチング機構
・20 kV RHEED表面観察機能
- 設備状況
- 稼働中
表面X線回折計 (Surface X-ray diffractometer)
- 設備ID
- QS-113
- 設置機関
- 量子科学技術研究開発機構（QST）
- 設備画像
- メーカー名
- 神津精機（株）ほか (Kohzu Precision Co., Ltd., etc.)
- 型番
- なし（特別仕様）
- 仕様・特徴
- ・半導体ヘテロ構造や多層膜、半導体量子ドット結晶やナノワイヤなどの成長過程について、原子が一層づつ積み上がってゆく様子を、表面X線回折法によってリアルタイム観察できる装置。
・原子状窒素を利用する分子線エピタキシー法により、GaNやInNなどの窒化物半導体の成長を行うことができる。
・良質な電子材料の作成をサポート。
- 設備状況
- 稼働中
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