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プラズマCVD薄膜堆積装置 (Plasma-assisted CVD（TEOS/SiO2）)
- 設備ID
- AT-030
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-20SS
- 仕様・特徴
- ・型式:PD-20SS
・試料サイズ8インチ
・有効成膜範囲:220mmφ
・排気系:ロータリーポンプ＋メカニカルブースターポンプ
・圧力制御:オートプレッシャーコントローラー（コンダクタンス可変型）
・高周波電源:300W（13.56MHz）
・電極間隔:25mm（上部電極:Al製、下部電極:SUS製）
・ガス噴出口:上部電極一体式シャワー状マニホールド
・ステージ加熱機構:抵抗加熱方式（400℃）
・導入ガス:C2F6, O2, TEOS
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD薄膜堆積装置（SiN） (Plasma-assisted CVD (SiN))
- 設備ID
- AT-081
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-220SN
- 仕様・特徴
- ・型式:PD-220NS
・試料サイズ:8インチ
・成膜種:SiO2, Si3N4
・電極間隔:25mm (上部電極:Al製、下部電極:SUS製)
・高周波電源:300W（13.5MHｚ）
・ステージ加熱:350℃（抵抗加熱方式 ）
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD装置 (Plasma Enhanced CVD system)
- 設備ID
- HK-613
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220ESN
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2、SiN
試料サイズ：最大8インチ
- 設備状況
- 稼働中
液体ソースプラズマCVD装置 (Liquid Source CVD Systems)
- 設備ID
- HK-614
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-10C1
- 仕様・特徴
- 成膜材料：SiO2他（原料持ち込み可）
キャリアガス：N2、He、Ar、H2
試料サイズ：最大3インチ
- 設備状況
- 稼働中
有機金属気相成長装置 (Metal organic vapor phase epitaxy)
- 設備ID
- IT-010
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 日本酸素 ( Nippon Sanso)
- 型番
- HR-3246
- 仕様・特徴
- InP用 ・ウェハトレイ：石英製2インチウェハトレイ ・III族材料：TEG,TMG,TMA,TMI,CBr4 ・V族材料：AsH3(100%)，AsH3(1%)，PH3(100%)，Si2H6，C2H6Zn
- 設備状況
- 稼働中
SiO2プラズマCVD 装置 (SiO2 Plasma enhanced CVD)
- 設備ID
- IT-015
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- PD-100ST
- 仕様・特徴
- PD-100ST 使用ガス: TEOS、O2、CF4 最大3インチまで
- 設備状況
- 稼働中
SiN/a-SiプラズマCVD 装置 (SiN/a-Si plasma enhanced CVD)
- 設備ID
- IT-016
- 設置機関
- 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学）
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (STS)
- 型番
- Multiplex-CVD
- 仕様・特徴
- シリコン窒化膜/アモルファスシリコンの成膜
- 設備状況
- 稼働中
プラズマCVD装置 (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition System)
- 設備ID
- KT-205
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業(株) (Sumitomo Precision Products CO., LTD.)
- 型番
- MPX-CVD
- 仕様・特徴
- 液体ソース（酸化膜／窒化膜用）を用いたプラズマCVD装置。
・基板サイズ：MAX Φ6
・RF電源：500W＠上部(13.56MHz)、500W＠下部(380kHz)
・プロセスガス：C4F8、H2 ほか
・液体ソース：TEOS（テトラエトキシシラン）、TSA（トリシリルアミン）
・温度：150～350℃
- 設備状況
- 稼働中
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiN PECVD [PD-220NL])
- 設備ID
- NM-612
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/NM-612.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・用途：PECVDによるSiO2, SiNの薄膜形成
・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
- 設備状況
- 稼働中
SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiO2 PECVD [PD-220NL])
- 設備ID
- NM-633
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]](data/facility_item/1673319140_10.jpg)
- メーカー名
- サムコ (samco)
- 型番
- PD-220NL
- 仕様・特徴
- ・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2)
・成膜温度：400度以下
・最大試料サイズ：φ8inch
- 設備状況
- 稼働中