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原子層堆積装置 [AD-230LP] (ALD [AD-230LP])
- 設備ID
- NM-611
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層堆積装置 [AD-230LP]](data/facility_item/NM-611.jpg)
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-230LP
- 仕様・特徴
- ・用途：多種ALD薄膜形成装置
・仕様成膜方式：サーマルまたはプラズマALD
・原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他
・酸化剤：H2O, O3, O2プラズマ
・窒化剤：N2プラズマ, NH3プラズマ
・試料サイズ：最大φ8インチ
・その他：ロードロック式
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 [SUNALE R-150] (ALD [SUNALE R-150])
- 設備ID
- NM-644
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![原子層堆積装置 [SUNALE R-150]](data/facility_item/1687416682_11.jpg)
- メーカー名
- PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Oy)
- 型番
- SUNALE R-150
- 仕様・特徴
- ・成膜方式：サーマルまたはプラズマALD
・原料ソース：3源
・基板サイズ：最大6inchφ
・基板温度：室温～300℃
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition)
- 設備ID
- NU-232
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco)
- 型番
- AD-100LE
- 仕様・特徴
- ・Al2O3, SiO2, AlOxNy, SiOxNy成膜用
・基板サイズ：212 mmΦ
・加熱温度：最大500℃
・ガス導入系：有機金属系2系統，H2O，O2，N2
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD)
- 設備ID
- TT-003
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech)
- 型番
- Fiji F200
- 仕様・特徴
- 成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。
半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。
- 設備状況
- 稼働中
多元材料原子層堆積(ALD)装置 (ALD)
- 設備ID
- TU-169
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- テクノファイン (Technofine)
- 型番
- ALK-600
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～6インチ
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積(ALD)製膜装置 (Atomic Layer Deposition Apparatus)
- 設備ID
- UT-717
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments)
- 型番
- FlexAL ALD
- 仕様・特徴
- サーマル方式とリモートズマ方式のALDができます。チャンバーを150℃まで加熱し水分除去とプリカーサの徐記促進が可能です。
・ロードロック方式
・基板サイズ 2,3,4,6,8インチ、8インチ以下の不定形基板
・下部電極は550℃まで昇温可能。バイアス電圧は0から-200V。
・Ru, TaN, SiO2の成膜が可能。成膜材料についてはご相談承ります。
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic Layer Deposition Systems)
- 設備ID
- WS-004
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- アプライドマテリアルズジャパン株式会社 (Applied Materials Japan, Inc.)
- 型番
- SUNALE R-150
- 仕様・特徴
- Al2O3膜を原子一層レベルで成膜可能
H2O及びO3使用可
基板サイズ小片～4インチ
4”, 6”ウエハ, 及び20×20mm試料対応
基板材料は原則としてダイヤモンドまたはSi
- 設備状況
- 稼働中