共用設備検索結果
中分類から探す
表示件数
ウエハプロファイラ (Optical Wafer Profiler)
- 設備ID
- KT-334
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ケーエルエー・テンコール(株) (KLA Corporation)
- 型番
- Zeta-388
- 仕様・特徴
- ナノからミリサイズまでの非接触３次元表面形状測定装置。
・測定モード：3D形状測定、膜厚測定、欠陥数カウント
・測定原理（3D形状）：焦点移動法、白色干渉法、位相シフト干渉法
・光源：白色LED、緑色LED（520～535 nm）
・ウエハサイズ：
4インチ、6インチ、8インチ（自動搬送可能）
小片（自動搬送不可）
・対物レンズ倍率
明視野用：2.5x、5x、10x、20x、50x、100x
光干渉用：10x、20x、50x
・Z軸移動レンジ：40mm(モーター)、200μm(ピエゾ)
・その他：スティッチング機能あり
- 設備状況
- 稼働中
触針式形状測定装置 (Stylus Profilometer)
- 設備ID
- KT-335
- 設置機関
- 京都大学
- 設備画像
- メーカー名
- ブルカー(株) (Bruker Corporation)
- 型番
- Dektak Pro-S
- 仕様・特徴
- BRUKER社製_Dektak Pro
・高さ分解能：0.1nm＠6.5μmレンジ
・高さ再現性：<0.4nm（1σ）
・高さ測定範囲：<1mm
・触圧範囲：1～15mg
・測定距離：<55mm
・サンプルステージ：Φ150mm対応可（XYステージ：手動100mm移動）／Θ360度（手動）
・スタイラス（先端曲率）：12.5μm、2μm
・薄膜応力測定機能
- 設備状況
- 稼働中
ゼータ電位／粒径測定システム (Zeta-potential and particle analyzer system)
- 設備ID
- KU-513
- 設置機関
- 九州大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- ELSZ-2
- 仕様・特徴
- 【ゼータ電位／粒径測定システム：ELSZ-2】
・粒子径測定範囲（0.6-7000nm）
・ゼータ電位測定範囲(-200-200mV)
・測定濃度範囲：粒径0.00001-40%
・ゼータ電位濃度範囲：0.001-40%
・(希薄、濃厚試料対応)
・温調機能搭載、ゼータ電位の低誘電率溶媒測定対応
- 設備状況
- 稼働中
ゼータ電位計 (Zeta potential analyzer)
- 設備ID
- NM-013
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- ELSZ-1000Z
- 仕様・特徴
- ・ゼータ電位測定範囲：-200～200mV
・光学系：レーザードップラー法
・光源：高出力・高安定化半導体レーザー
・セル：標準セル、微量ディスポセルもしくは平板用セル
・検出器：高感度APD
・温度：10 ～ 90℃
- 設備状況
- 稼働中
動的光散乱光度計 (Dynamic light scattering (DLS) spectrophotometer)
- 設備ID
- NM-014
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- DLS-8000HAL
- 仕様・特徴
- ・粒径測定範囲：1.4nm～7µm
・重量平均分子量の測定範囲 ：300～2×107 Mw
・光源：He-Neレーザー(632.8nm)、固体ブルーレーザー(488nm)
・検出器：光電子増倍管（フォトンカウンティング方式）
・セル：21φ円筒セル、12φ円筒セル、5φ微量セル
・セル室温度：5～90℃
・角度範囲：5 ～ 160°
- 設備状況
- 稼働中
粒度分布測定装置 (Particle size analyzer)
- 設備ID
- NM-015
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 島津製作所 (Shimadzu)
- 型番
- SALD-2100
- 仕様・特徴
- ・測定範囲：0.03µm～1000µm
・光源：680nm 半導体レーザー
・測定方式：湿式測定のみ（乾式測定不可）
- 設備状況
- 稼働中
接触角計 (Contact angle meter)
- 設備ID
- NM-016
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- AST Products (AST Products)
- 型番
- VCA Optima-XE
- 仕様・特徴
- ・材料表面に液体を滴下して接触角を測定します。
・測定範囲：0～180°
・再現性：1°
・正確性:：0.5°
- 設備状況
- 稼働中
ゼータ電位＆粒径測定装置（ELSZ-2000ZS） (Zeta-potential/Particle-size analyzer (ELSZ-2000ZS))
- 設備ID
- NM-218
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 大塚電子 (Otsuka Electronics)
- 型番
- ELSZ-2000ZS
- 仕様・特徴
- ・粒径： 0.6 nm ～ 8 µm
・ゼータ電位： -200 ～ +200 mV
・試料濃度：0.00001～40％
・測定温度：0～90 ℃ (ガラスセル)、10～50 ℃ (ディスポセル)
- 設備状況
- 稼働中
顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV] (Optical Film Mapper [F54-XY-200-UV])
- 設備ID
- NM-624
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![顕微分光膜厚計 [F54-XY-200-UV]](data/facility_item/NM-624.jpg)
- メーカー名
- フィルメトリクス株式会社 (FILMETRICS)
- 型番
- F54-XY-200-UV
- 仕様・特徴
- ・用途：反射分光膜厚測定
・光源：重水素ハロゲンランプ
・波長：190-1100nm
・スポット径：10 μm以下
・測定膜厚範囲：5nm以下～30μm
・最大試料サイズ：φ8inch
・その他：自動マッピング、顕微式
- 設備状況
- 稼働中
エリプソメーター [MARY-102FM] (Ellipsometer [MARY-102FM])
- 設備ID
- NM-625
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
![エリプソメーター [MARY-102FM]](data/facility_item/NM-625.jpg)
- メーカー名
- ファイブラボ (five Lab)
- 型番
- MARY-102FM
- 仕様・特徴
- ・用途：絶縁膜形成評価
・光源：632nm He-Neレーザー
・ビーム径：0.8mm
・入射角：50°，60°，70°
・最大試料サイズ：φ6inch
- 設備状況
- 稼働中