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イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-510
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°～+10° 調整可能
100eV ～8keV
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-511
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°～+10° 調整可能
100eV ～8keV
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-512
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- フィッショーネ・インスツルメンツ社 (Fischone Instruments, Inc.)
- 型番
- model 1010
- 仕様・特徴
- ダブルイオン銃方式
照射角度 -10°～+10°
ミリング角調整機能
- 設備状況
- 稼働中
ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)
- 設備ID
- TU-519
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
- 型番
- Gentle Mill 3
- 仕様・特徴
- ・ビームカレント 5 ～ 80 μA
・イオン照射角度 0～6°
- 設備状況
- 稼働中
イオンスライサー (Ion slicer)
- 設備ID
- UT-154
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- EM09100IS
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・イオン加速電圧：1～8 kV
・傾斜角：最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス：アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製
- 設備状況
- 稼働中
TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)
- 設備ID
- UT-157
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- gatan (gatan)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
より試料を取り外すことなく既設装置である
イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
ミリングアングル -10°～+10° 調整可能
イオンエネルギー 100 eV ～8 keV
イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
試料回転 1～6 rpm まで可変
X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
デュアーの保持時間 約6～7時間
ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C)
ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
温度領域 -120°C～室温
試料冷却 -120°Cまで可能
- 設備状況
- 稼働中