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集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam FIB System )
- 設備ID
- TU-507
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 (Thermo Fisher Scientific K.K.)
- 型番
- Quanta 3D
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 1 kV~30 kV W電子銃
・加速電圧 5 kV~30 kV Gaイオン銃
・保護膜形成 W蒸着・C蒸着
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam FIB System )
- 設備ID
- TU-508
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 (Thermo Fisher Scientific K.K.)
- 型番
- Versa 3D
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 1 kV~30 kV ショットキー型電界放射電子銃
・加速電圧 0.5 kV~30 kV Gaイオン銃
・保護膜形成 Pt蒸着・C蒸着
・シリアルセクショニング
・反射電子検出器, EDS検出器
- 設備状況
- 稼働中
プラズマ集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam Plasma FIB System )
- 設備ID
- TU-521
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像

- メーカー名
- 東陽テクニカ (Toyo Corporation)
- 型番
- TESCAN Amber-X
- 仕様・特徴
- ・SEM: 加速電圧 0.5 kV~30 kV 高輝度ショットキー電子銃
・FIB: 加速電圧 1 kV~30 kV Xeイオン銃、1pA-3μA
・保護膜形成 Pt蒸着・C蒸着
・ロッキングステージ、姿勢制御マニピュレータ(OptiLift)
・シリアルセクショニング
・分析機能:EDS、SIMS
- 設備状況
- 稼働中
CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム (Preprocessing system for device evaluation that integrates 3D functions linked with CAD data)
- 設備ID
- UT-152
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像

- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- XVision200TB
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
・デバイス評価用前処理システム
・透過電子顕微鏡用薄膜試料作製にも対応
□ 主な仕様
・ FIB分解能:4nm@30kV、最大電流45nA
・ SEM分解能:3nm@5kV、加速電圧1~30kV
・ 最大8インチステージ
・ Arビーム照射
・ W,C,絶縁膜デポ XeF,有機系エッチングガス
・ CADデータオーバレイ表示
・ レーザー顕微鏡と共通の座標系
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像

- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能(BF,HAADF)
□ 主な仕様
FIB(収束イオンビーム)
・ イオン源:Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧:0.5~30kV
・ 倍率:×50~×300,000
・ イオンビーム加工形状:矩形、ライン、スポット
SEM(電子ビーム)
・ 加速電圧:0.01~30kV
・ 倍率:×20~×1,000,000
・ 像分解能:0.7nm(加速電圧15kV)、1.0nm(加速電圧1kV)
- 設備状況
- 稼働中
集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)
- 設備ID
- WS-010
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像

- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- NB-5000
- 仕様・特徴
- FIB加工中の同時SEM観察可能
~80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能(EDAX)
・ シリコンドリフトディテクター (SDD検出器)
・ エネルギー分解能: 133eV以下
・ 検出元素:B~U
・ 定性分析/定量分析/マッピング機能搭載
STEM機能付き(薄膜化した後の高精度観察が可能)
- 設備状況
- 稼働中