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ジェントルミリング装置 (Gnetle Mill)
- 設備ID
- TU-519
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本フィジテック (Japan Physitec Co.)
- 型番
- Gentle Mill 3
- 仕様・特徴
- ・ビームカレント 5 ～ 80 μA
・イオン照射角度 0～6°
- 設備状況
- 稼働中
プラズマ集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam Plasma FIB System )
- 設備ID
- TU-521
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東陽テクニカ (Toyo Corporation)
- 型番
- TESCAN Amber-X
- 仕様・特徴
- ・SEM: 加速電圧 0.5 kV～30 kV 高輝度ショットキー電子銃
・FIB: 加速電圧 1 kV～30 kV Xeイオン銃、1pA-3μA
・保護膜形成 Pt蒸着・C蒸着
・ロッキングステージ、姿勢制御マニピュレータ（OptiLift）
・シリアルセクショニング
・分析機能：EDS、SIMS
- 設備状況
- 稼働中
CADデータ連動3次元機能融合デバイス評価用前処理システム (Preprocessing system for device evaluation that integrates 3D functions linked with CAD data)
- 設備ID
- UT-152
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- XVision200TB
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
・デバイス評価用前処理システム
・透過電子顕微鏡用薄膜試料作製にも対応
□ 主な仕様
・ FIB分解能：4nm@30kV、最大電流45nA
・ SEM分解能：3nm@5kV、加速電圧1～30kV
・ 最大8インチステージ
・ Arビーム照射
・ W,C,絶縁膜デポ XeF,有機系エッチングガス
・ CADデータオーバレイ表示
・ レーザー顕微鏡と共通の座標系
- 設備状況
- 稼働中
クロスセクションポリッシャー(CP) (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- UT-153
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JEOL SM-090010JEOL SM-090020
- 仕様・特徴
- □ 主な特徴
表面に対して垂直な断面が制作可能。
□ 主な仕様
イオン加速電圧：2 ～ 6 kV
イオンビーム径半値幅：500 μm（加速電圧：6kV, 試料：Si）
ミリングスピード：1.3 μm/min以上（加速電圧：6kV, 試料：Si）
最大搭載試料サイズ：11mm×9mm×2mm
試料移動範囲：X軸±3mm Y軸：±3mm
試料角度調節範囲：±5°
使用ガス：アルゴンガス
- 設備状況
- 稼働中
イオンスライサー (Ion slicer)
- 設備ID
- UT-154
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- EM09100IS
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
・イオン加速電圧：1～8 kV
・傾斜角：最大6°(0.1°刻み)
・試料ガス：アルゴン
□ 主な特長
冊状試料にイオン研磨処理を行い、薄膜試料を作製
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工観察装置（FIB） (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
- 設備状況
- 稼働中
TEM用ハイスループットイオン研磨システム (High-throughput ion polishing system for TEM)
- 設備ID
- UT-157
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- gatan (gatan)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 【特長】ハイスループットイオン研磨システムの試料ホルダー
より試料を取り外すことなく既設装置である
イオンスライサーに搭載可能であること。
【仕様】
本体
ミリングアングル -10°～+10° 調整可能
イオンエネルギー 100 eV ～8 keV
イオン電流密度 1イオン銃あたり 10 mA/cm2
試料回転 1～6 rpm まで可変
X,Y可動範囲 ±0.5 mm
冷却ステージ
デュアーの保持時間 約6～7時間
ヒーター1 ステージの温度調整用 (-120°C～+25°C)
ヒーター2 冷却したステージを室温戻し用
温度領域 -120°C～室温
試料冷却 -120°Cまで可能
- 設備状況
- 稼働中
大気非暴露対応冷却クロスセクションポリッシャ (Cooling cross section polisher for non-exposure to atmosphere)
- 設備ID
- UT-158
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- IB-19520CCP
- 仕様・特徴
- イオン加速電圧 2～8kV
ミリングスピード 500μm/h以上 (加速電圧8kV)
試料スイング機能±30°自動スイング
自動加工開始モード 〇
自動冷却加工開始モード /
自動室温復帰モード 〇
試料ステージ冷却到達温度 －120°C以下
冷却温度設定範囲 －120～0°C
試料冷却－100°C到達時間 60分以内
試料冷却保持時間 8時間以上
- 設備状況
- 稼働中
ウルトラミクロトーム (Ultramicrotome)
- 設備ID
- UT-403
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- ライカバイオシステムズ㈱ (Leica Microsystems K.K.)
- 型番
- EM UC7
- 仕様・特徴
- □特 徴
・静電気式ピックアップ法
・視認性の高LED照明システム
・ユーセントリック動作を搭載した実体顕微鏡
- 設備状況
- 稼働中
集束イオン/電子ビーム加工観察装置 (Focused Ion Beam Scanning Electron Microscopy)
- 設備ID
- WS-010
- 設置機関
- 早稲田大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- NB-5000
- 仕様・特徴
- FIB加工中の同時SEM観察可能
～80万倍, 試料サイズ最大30mmΦ
エネルギー分散型X線元素分析機能（EDAX）
・ シリコンドリフトディテクター （SDD検出器）
・ エネルギー分解能： 133eV以下
・ 検出元素：B～U
・ 定性分析／定量分析／マッピング機能搭載
STEM機能付き（薄膜化した後の高精度観察が可能）
- 設備状況
- 稼働中