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集束イオンビーム加工装置 (Focused Ion Beam (FIB) System)
- 設備ID
- TH-702
- 設置機関
- 豊橋技術科学大学
- 設備画像
- メーカー名
- SIIナノテクノロジー (SII Nanotechnology)
- 型番
- SMI3200TS
- 仕様・特徴
- イオンビームによる堆積・エッチングにより加工および観察を同時に行える
イオン源：Ga、C
試料サイズ：φ8インチ以下
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam FIB System )
- 設備ID
- TU-507
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 (Thermo Fisher Scientific K.K.)
- 型番
- Quanta 3D
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 1 kV～30 kV W電子銃
・加速電圧 5 kV～30 kV Gaイオン銃
・保護膜形成 W蒸着・C蒸着
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工装置 (Dual-Beam FIB System )
- 設備ID
- TU-508
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 (Thermo Fisher Scientific K.K.)
- 型番
- Versa 3D
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 1 kV～30 kV ショットキー型電界放射電子銃
・加速電圧 0.5 kV～30 kV Gaイオン銃
・保護膜形成 Pt蒸着・C蒸着
・シリアルセクショニング
・反射電子検出器, EDS検出器
- 設備状況
- 稼働中
電顕試料用研磨機 (Grinder for TEM specimen preparation)
- 設備ID
- TU-509
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- handy lap HLA-2
- 仕様・特徴
- ・精密平行研磨可能
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-510
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°～+10° 調整可能
100eV ～8keV
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-511
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ガタン社 (Gatan Inc.)
- 型番
- PIPSⅡ
- 仕様・特徴
- 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
-10°～+10° 調整可能
100eV ～8keV
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング装置 (Ion milling apparatus)
- 設備ID
- TU-512
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- フィッショーネ・インスツルメンツ社 (Fischone Instruments, Inc.)
- 型番
- model 1010
- 仕様・特徴
- ダブルイオン銃方式
照射角度 -10°～+10°
ミリング角調整機能
- 設備状況
- 稼働中
ウルトラミクロトーム装置 (Ultramicrotome)
- 設備ID
- TU-513
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- ライカ社 (Leica Reichert)
- 型番
- Ultracut S
- 仕様・特徴
- 試料厚さ：1～15μm
- 設備状況
- 稼働中
薄膜断面試料作製装置 (Ion Slicer)
- 設備ID
- TU-518
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- EM-09100IS
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧 1～8 kV
・イオン照射角度 0～6°
- 設備状況
- 稼働中