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バイオ/無機材料用高速FIB-SEMシステム (High performance focused ion beam system （FIB-SEM))
- 設備ID
- NU-105
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- ETHOS NX5000
- 仕様・特徴
- FIB-SEM
FIB, SEM, STEM, Ar Gun, EDS
FIB, SEM 最大加速電圧：30kV
- 設備状況
- 稼働中
試料作製装置群 (Specimen preparation apparatus group)
- 設備ID
- NU-106
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ・ナノミル/E.A. Fischione Instruments・ PIPSⅡ/Gatan ・ウルトラミクロトーム/ライカマイクロシステムズ・クロスセクションポリッシャー/日本電子・ダイヤモンドワイヤーソー/メイワフォーシス・卓上SEM/日本電子・コーター類/メイワフォーシス他 (・NanoMill/E.A. Fischione Instruments, Inc.・PIPSⅡ/Gatan・Ultramicrotome/Leica Microsystems・Cross Section Polisher/Jeol・Diamond wire saw/MeiwaFosis・JCM-6000Plus NeoScope/Jeol・Neoc-Pro/MeiwaFosis)
- 型番
- ・NanoMIll/ Model1040・PIPSⅡ/Gatan・ウルトラミクロトーム/Leica EM UC7・クロスセクションポリッシャー/IB-09020CP・ダイヤモンドワイヤーソー/DWS3242・卓上SEM/JCM-6000Plus・コータ類/Neoc-Pro/P
- 仕様・特徴
- TEM/STEM/SEM観察のための試料作製に関する装置群：
＜NanoMill＞
イオン源 静電レンズと組み合わせたフィラメントベースのイオン源
ビーム径 約1μm
ビームエネルギー 50eV～2.0keV
ビーム電流密度 最大8mA/cm2
ファラデーカップにより1pA～2,000pAのビーム電流を測定
試料ステージ ロードロック機構により10秒以内に試料の交換が可能
ミリング角度 0°～±10°
イメージング SED（二次電子検出器）を使用したイメージング
視野3mm×3mm
試料を観察しながらミリング位置をピンポイントで設定
＜PIPSⅡ＞
イオン銃 低エネルギー集束電極 ペニング形イオン銃2式
試料サイズ 3mm
試料回転 1～6rpm まで可変
ステージの温度調整 （-120℃～+25℃）
薄膜試料作製 Digital Micrographでの画像取り込み
＜ウルトラミクロトーム＞
・切片厚さ設定範囲：1 nm ～ 15 µm（超薄切片から準超薄切片、半薄切片まで対応）
・切削速度：0.05 ～ 100 mm/s（試料に応じた柔軟な速度調整が可能）
・Z軸精度：最小切削厚さ 1 nm 単位で制御可能な高精度ステッピングモーター搭載
・ナイフステージ：回転角 ±60°、傾斜角 ±10°の調整が可能で、最適な切削角度を実現
＜クロスセクションポリッシャー＞
・高精度な断面加工：アルゴンイオンビームを用い、機械的応力をかけずに約1mm²の断面を形成可能。加工精度は10～20μm程度（光学顕微鏡下）
・イオン加速電圧と加工速度：2～8kVの加速電圧に対応し、最大300μm/h（Si基板換算、8kV時）の高速ミリングが可能
・冷却機構搭載：液体窒素による冷却で試料温度を-100℃以下に制御可能。熱に弱い材料の加工に有効で、冷却保持時間は最大10時間
・リアルタイム加工モニタリング：CCDズームカメラ（倍率×20～×100）により、加工状況をリアルタイムで観察可能。加工位置確認用カメラ（×70）も標準装備
＜ダイヤモンドワイヤーソー＞
・切断方式：電着ダイヤモンド砥粒付きワイヤーの往復運動による乾式切断。水や油を使わず、表面汚染を防げる
・対応試料サイズ：最大 約30 mm × 30 mm × 厚さ10 mm 以下の小型試料に対応。CP試料台に装着したまま切断可能
・切断精度と刃幅：刃幅は最小100 µm、最大300 µm程度で、微細なスライスが可能
・位置合わせ機能：顕微鏡を用いた切断位置の精密アライメントが可能で、ターゲット領域を狙った加工がしやすい ＜卓上SEM＞ ・観察モード切替：高真空／低真空モードをワンタッチで切替可能。導電性の高い金属から非導電性の樹脂・生体試料まで幅広く対応
・倍率範囲：×10 ～ ×60,000 の広い倍率に対応し、微細構造の詳細な観察が可能
・EDS（エネルギー分散型X線分析）対応：元素分析・マッピングが可能で、形態観察と組成分析ができる
＜コータ類（オスミウムコーター）＞
・極薄アモルファス導電膜の形成：純粋な金属オスミウムを用いた非晶質（アモルファス）コーティングにより、粒状性のない均一な導電膜を形成。高倍率観察でも表面構造を損なわず、シャープな像が得られる
・優れた“回り込み”性能：昇華した四酸化オスミウム蒸気が試料全体を包み込むようにコーティングするため、凹凸のある複雑な形状の試料にも均一な膜形成が可能
・熱ダメージゼロ：常温で昇華するオスミウムを使用し、熱による試料ダメージが発生しないため、生体試料や繊維など熱に弱い材料にも対応
・高い再現性と膜厚制御：放電時間に比例した膜厚制御が可能で、5〜10 nm程度の極薄膜を数秒で形成できる高効率設計
主な仕様：
チャンバー寸法：Φ150 × 高さ70 mm
試料搭載数：Φ10 mm×35個、Φ15 mm×10個、Φ30 mm×5個
- 設備状況
- 稼働中
微細構造解析3Dシステム JIB-PS500i FIB-SEM (JIB-PS500i FIB-SEM)
- 設備ID
- NU-107
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-PS500i FIB-SEM
- 仕様・特徴
- FIB (Focus Ion Beam)機能と電子顕微鏡のSTEM機能を併せ持つ装置
電子顕微鏡観察用に各種材料を薄片化加工する。
FIB装置で試料を切削しながらSEM像を撮影し、試料内部を履帯観察できる
- 設備状況
- 稼働中
SEM用断面試料作製装置 (Cross section polisher)
- 設備ID
- NU-253
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- JEOL (JEOL)
- 型番
- SM-09010
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧：2～6 kV
・イオンビーム径：500 μm（半値幅）
・最大搭載試料サイズ：幅11 mm × 長さ10 mm × 厚さ2 mm
・試料移動範囲：X軸：±3 mm，Y軸：±3 mm
- 設備状況
- 稼働中
複合ビーム３次元加工・観察装置 (FIB-SEM)
- 設備ID
- OS-005
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- サーモフィッシャーサイエンティフィック (Thermo Fisher Scientific)
- 型番
- Scios2
- 仕様・特徴
- 加速電圧200V～30kV、dual beam、EDS分析機能
- 設備状況
- 稼働中
高分子・生物系電子顕微鏡用試料作製装置群 (Bio-Science TEM Sample Preparation Machines)
- 設備ID
- OS-006
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- ライカマイクロシステムズ (Leica MICROSYSTEMS)
- 型番
- UC7
- 仕様・特徴
- 包埋樹脂重合装置、カーボン蒸着装置
- 設備状況
- 稼働中
材料系電子顕微鏡用試料作製装置群 (Material-Science TEM Sample Preparation Machines)
- 設備ID
- OS-007
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- アメテック株式会社 (AMETEK)
- 型番
- PIPS II
- 仕様・特徴
- 機械研摩装置、トライポッド、ディンプルグラインダー
- 設備状況
- 稼働中
高精細集束イオンビーム装置 (High definition focused ion beam system)
- 設備ID
- OS-101
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- カールツァイス (Carl Zeiss)
- 型番
- ORION NanoFab
- 仕様・特徴
- 【特徴】
イオン源にHeガスを採用し、最小ビーム径0.5nmφ の分解能を有する。
FIB：10nm以下の微細加工が可能。
ヘリウムイオン顕微鏡：中和銃装備のため導電性処理無しで絶縁体の観察が可能。生体試料の観察にも適する。
【仕様】
イオン源：He / Ne (希ガス)
最小ビーム径：0.5 nm (He)，1.9 nm (Ne)
加速電圧：10～40 kV
ET検出器：2次電子
電子中和銃（Flood gun）装備
GIS：Pt、SiO2、XeF2
試料サイズ： 45mmφ
- 設備状況
- 稼働中
SEM付集束イオンビーム装置 (Focused ion beam system with SEM)
- 設備ID
- OS-102
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- カールツァイス (Carl Zeiss)
- 型番
- Nvision 40D with NPVE
- 仕様・特徴
- 【特徴】
30kVのGa+イオンによるFIB加工及び加工時のSEM観察が可能。FIBによる気相蒸着によりPtおよびSiO2による配線の修復が可能。
【仕様】
ステージサイズ：max 4 inch
Pt銃、SiO2銃装備
FE-SEMユニット, 加速電圧：30kV
検出器：InLens, SE, Esb
FIBユニット, 加速電圧：30kV
最小ビーム径：4nm
- 設備状況
- 稼働中
複合ビーム加工観察装置 (Dual beam analysis system )
- 設備ID
- SH-007
- 設置機関
- 信州大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4610F
- 仕様・特徴
- FE-SEM 加速電圧 0.1～30ｋV
FIB 分解能4nm 加速電圧 1～30kV
Cryoオプション付き ピックアップシステム付き
- 設備状況
- 稼働中