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セラミックス試料作製装置群 (Ceramics sample preparation facilities)

設備ID
NM-407
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
セラミックス試料作製装置群
メーカー名
ガタン日立ハイテク真空デバイスマルトーTECHNOORG-LINDA (GatanHitachi High-TechVacuum DeviceMarutoTECHNOORG-LINDA)
型番
695PIPS II(精密イオン研磨装置)656 DimpleGrinder(ディンプルグラインダ)TM4000Plus II(卓上SEM)VES-30T(マルチコーター)ML-180 DoctorLap(卓上研磨機)MS2 MICROSAW(小型精密切断器)
仕様・特徴
・精密イオン研磨装置:イオンビームエネルギー: 0.1~8 keV、試料冷却が可能、観察用デジタルズームカメラ付属

・ディンプルグラインダ:研磨ホイール径 15 mm、研磨荷重 0~40 g、自動停止機構付属

・卓上SEM:加速電圧:5-20kV、二次電子検出器および反射電子検出器

・マルチコーター:蒸着、イオンスパッタ、親水化処理

・卓上研磨機:研磨回転数 50~500 rpm

・小型精密切断器:50mmダイヤモンド回転刃
設備状況
稼働中

デュアルビーム加工観察装置 (Dual Beam system)

設備ID
NM-509
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
デュアルビーム加工観察装置
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Technologies)
型番
NB5000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~40 kV、最大電流50nA、倍率x600~
・SEM:加速電圧0.5~30kV、分解能1nm@15kV, 倍率x250~
・付属:マイクロサンプリング、STEM, EDS
設備状況
稼働中

FIB加工装置(JIB-4000) (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-510
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置(JIB-4000)
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JIB-4000
仕様・特徴
・FIB:加速電圧1~30 kV、最大電流60nA
・分解能:5nm (@30kV)
設備状況
稼働中

FIB加工装置(JEM-9320FIB) (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-511
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置(JEM-9320FIB)
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9320FIB
仕様・特徴
・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流30nA
・分解能:6nm (@30kV)
設備状況
稼働中

FIB加工装置(JEM-9310FIB) (Focused Ion Beam systems)

設備ID
NM-512
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB加工装置(JEM-9310FIB)
メーカー名
日本電子 (JEOL)
型番
JEM-9310FIB
仕様・特徴
・FIB:加速電圧5~30 kV、最大電流10nA
・分解能:8nm (@30kV)
設備状況
稼働中

ピックアップシステム (Pick-up System)

設備ID
NM-513
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ピックアップシステム
メーカー名
 ()
型番
仕様・特徴
・大気中(FIB外)でガラスプローブを使ってTEMグリッド上へ固定
設備状況
稼働中

ウルトラミクロトーム (Ultramicrotome)

設備ID
NM-514
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
ウルトラミクロトーム
メーカー名
ライカマイクロシステムズ (Leica Microsystems)
型番
Leica EM UC6
仕様・特徴
・ガラスナイフまたはダイヤモンドナイフを使用して薄切切片を製作
・液体窒素冷却機能付属
設備状況
稼働中

TEM試料作製装置群 (TEM sample preparation apparatus)

設備ID
NM-516
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
TEM試料作製装置群
メーカー名
Gatan 日本電子 BEUHLER Allied 日本レーザー電子 真空デバイス (Gatan JEOL BEUHLER Allied Nippon Laser & Electronics Vacuum Device)
型番
Dimple Grinder(Model 656) PIPS II(Model 695) PIPS(Model 691) Ion Slicer(EM-09100IS) ISOMET Multiprep Carbon coater(JEC-560) Platinum coater(JFC-1600) Au coater(JFC-1500) Osmium coater(NL-OPC80A) Osmium coater(HPC-1SW) PECS(Model 682) Disc Cutter(Model 601) DII-29020HD
仕様・特徴
Dimple Grinder(Model 656)
・初期試料厚さ: 200 µm以下
・自動停止機構付き
PIPS II(Model 695)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
PIPS(Model 691)
・加速電圧: 0.1~6 kV
・液体窒素冷却ステージ
Ion Slicer(EM-09100IS)
・加速電圧: 1~8 kV
ISOMET
・4インチダイヤモンド切断砥石
Multiprep
・試料傾斜角度: 0~10°
・精密マイクロメーター付き
PECS(Model 682)
・コーディング材料:カーボン, クロム, 金パラジウム, コバルト
Disc Cutter(Model 601)
・金属試料の3mmディスク切り出し
TEMグリッド等の親水化処理
設備状況
稼働中

FIB/SEM精密微細加工装置(Helios 650) (FIB/SEM microfabrication instrument)

設備ID
NM-517
設置機関
物質・材料研究機構 (NIMS)
設備画像
FIB/SEM精密微細加工装置(Helios 650)
メーカー名
日本エフイー・アイ株式会社 (FEI Company Japan Ltd.)
型番
Helios 650
仕様・特徴
1. SIM像分解能5nm(@30kV)、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm(@1kV)、最大電流26nA
3. E-beam: 350V~30 kV、I-Beam: : 500V~30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°~+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム
【特徴】
1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト(マイクロサンプリング)可能
設備状況
稼働中

直交型高速加工観察分析装置 (High performance focused ion beam system (FIB-SEM))

設備ID
NU-104
設置機関
名古屋大学
設備画像
直交型高速加工観察分析装置
メーカー名
日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
型番
MI4000L
仕様・特徴
FIB-SEM 直交配置
FIB, SEM, STEM, Ar Gun, EDS
FIB, SEM 最大加速電圧:30kV
設備状況
稼働中
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