共用設備検索結果
表示件数
クロスセクションポリッシャー(ALD付帯) (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- AT-032
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- IM4000
- 仕様・特徴
- ・型式:IM4000
・試料サイズ:15mm(W)×15mm(D)×7mm(H)
・イオンガン:冷陰極ペニング型
・使用ガス:アルゴン
・加速電圧:1～6kV
・放電電圧:1.5kV
・断面ミリングレート:100～300µm/h (加速電圧6kV時) ※材料により異なる
・スイング角度:OFF～±40°
- 設備状況
- 稼働中
アルゴンミリング装置 (Argon Ion Milling System)
- 設備ID
- AT-033
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 伯東 (Hakuto)
- 型番
- 3-IBE
- 仕様・特徴
- 形式：3-IBE カウフマン型DCイオン源
試料サイズ：最大4インチ
ミリングガス：Ar
ビーム加速電圧：100～1200V
イオン入射角：-90°～90°（0°が試料表面に垂直入射）
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工観察装置(FIB) (Focused Ion Beam System（FIB）)
- 設備ID
- AT-034
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- FB-2100
- 仕様・特徴
- ・型式:FB-2100
・試料サイズ: 18mmφ以下, 高さ10mm以下
・イオン源:ガリウム液体金属イオン源
・加速電圧:2kV, 5kV, 10kV～40 kV （低加速電圧対応）
・像分解能:6 nm （SIM）
・ビーム径:3µm, 1.3µm, 600 nm, 320 nm, 120 nm, 60 nm, 10 nm
・イオンビーム電流:0.1nA～68nA （大電流対応）
・デポジションガス:タングステンカルボニル
・マニュピレータシステム:シングルプローブ
・試料ステージ制御:5軸チルトステージ
・ステージ傾斜角度:最大45°
- 設備状況
- 稼働中
ECRスパッタ成膜・ミリング装置 (ECR sputter deposition and milling system)
- 設備ID
- AT-098
- 設置機関
- 産業技術総合研究所（AIST)
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (ELIONIX)
- 型番
- EIS-200ERP
- 仕様・特徴
- ・型式:EIS-200ERP
・試料サイズ:75 mmφ
・イオンソース:ECR方式
・ガス種:Ar (最大流量5sccm)
・圧力:0.01 Pa
・加速電圧:30～3000 V
・マイクロ波:最大100 W
・材料ターゲットサイズ:100 mmφ
- 設備状況
- 稼働中
FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- BA-003
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- Helios NanoLab 600i
- 仕様・特徴
- 電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧：1-30kV（電子ビーム）
0.5-30kV（Gaイオンビーム）
デポジション用ガス：C,Ptガス
分析機能：EDS
- 設備状況
- 稼働中
イオンミリング (Ion Milling System)
- 設備ID
- BA-018
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- IM4000PLUS
- 仕様・特徴
- 断面ミリングと平面ミリングに対応したハイブリッドタイプのイオンミリング装置
＜断面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大ミリングレート（材料Si）：500μm/hr以上
最大試料サイズ：20（W）×12（D）×7（H）mm
試料移動範囲：X ±7mm 、 Y 0～＋3mm
＜平面ミリングホルダ＞
使用ガス：Ar（アルゴン）ガス
加速電圧：0～6kV
最大試料サイズ：Φ50 × 25（H） mm
試料移動範囲：X 0～＋5mm
- 設備状況
- 稼働中
ミクロトーム/クライオミクロトーム (Microtome/Cryo-microtome)
- 設備ID
- CT-013
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- ライカ マイクロシステムズ (Leica Microsystems)
- 型番
- ULTRACUT UCT
- 仕様・特徴
- ・クライオスタット付きのため凍結状態での薄切可能
- 設備状況
- 稼働中
断面試料作製装置（クロスセクションポリッシャ） (Specimen preparation equipment (CROSS SECTION POLISHER))
- 設備ID
- CT-014
- 設置機関
- 公立千歳科学技術大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- IB-09010CP
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧：2~6 kV
・イオンビーム径：500 μm
・ミリングスピード：100 μm/h
・最大搭載試料サイズ：11 mm(幅) x 10 mm(長さ) x 2 mm(厚さ)
・使用ガス：アルゴンガス
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工装置 (FIB)
- 設備ID
- HK-105
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様・特徴
- ・イオン加速電圧：5 ～ 30 kV
・倍率：150（50）～300,000
・真空系：ターボ分子ポンプ（TMP）、ロータリーポンプ（RP）
・チップオンホルダー
・バルクホルダー
・ピックアップ装置
・遠隔観察装置
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工・観察装置 (Focused Ion Beam and Scanning Electron Microscope system(FIB-SEM))
- 設備ID
- HK-304
- 設置機関
- 北海道大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JIB-4600F/HKD
- 仕様・特徴
- 加速電圧：1～30kV
分析機能：EDS、EBSD、3D観察
像分解能：5nm（30kV）
反射電子検出器装備
- 設備状況
- 稼働中