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走査型電子顕微鏡（SEM） (Scanning Electron Microscope (SEM))
- 設備ID
- NU-004
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-7500F
- 仕様・特徴
- ・電界放出形電子銃 ・二次電子分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV） ・倍率：×25～1,000,000 加速電圧：0.1～30kV ・ジェントルビーム
・オプション：リトラクタブル反射電子検出器(RBEI)、エネルギー分散形X線分析装置(EDS)
- 設備状況
- 共用を終了した設備です
ナノバイオ分子合成・超解像解析評価システム (Super-resolution Analysis System)
- 設備ID
- NU-021
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- ニコン・日本電子 (Nikon, JEOL)
- 型番
- N-SIM+N-STORM+A1R+A1RMP+JASM-6200 ClairScope
- 仕様・特徴
- N-SIM:XY分解能120 nm以下、Z分解能350 nm以下、画像取得時間0.6秒/枚以下、4色(405/488/561/640 nm)
N-STORM解像度:XY分解能20 nm以下、Z分解能50 nm以下、3色(405/457/561 nm)
A1R:シングルフォトン共焦点、励起レーザー(405 nm、457/488/514 nm、561 nm、647 nm)
シングルフォトン共焦点部:励起レーザー(405 nm、488 nm、561 nm、647 nm)
多光子励起顕微鏡部:IRパルスレーザー、700-1000 nm励起波長帯域
JASM-6200:大気圧下で走査電子顕微鏡観察可能、分解能8.0 nm、試料移動範囲±2.5 mm以上
- 設備状況
- 稼働中
微細構造解析3Dシステム GeminiSEM560 (GeminiSEM560)
- 設備ID
- NU-108
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- Zeiss (Zeiss)
- 型番
- GeminiSEM560
- 仕様・特徴
- 極低加速でのプローブ極極小化によるSEM高分解能の撮影が可能。
加速電圧：0.02 ～30kV
EDSによる元素分析装置付属
- 設備状況
- 稼働中
走査型電子顕微鏡 (Scanning electron microscope)
- 設備ID
- NU-227
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S5200
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：0.5kV～30kV
・分解能：0.5nm(30kV)
・倍率：～2,000,000
・最大試料サイズ：5mm x 9.5mm
- 設備状況
- 稼働中
走査型電子顕微鏡 (Scanning electron microscope)
- 設備ID
- NU-228
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S4300
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：0.5kV～15kV
・分解能：15nm(30kV)
・倍率：～500,000
・最大試料サイズ：直径100 mm
- 設備状況
- 稼働中
高精度電子線描画装置 (Scanning electron microscope with add-on lithography system )
- 設備ID
- NU-249
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 サンユー電子 (JEOL Sanyu Electron)
- 型番
- JSM-7000FK SPG-724
- 仕様・特徴
- ・分解能：1.2 nm(30kV)
・倍率：×10～×1,000,000
・試料室：最大200 mm
・描画方式：ラスタースキャン方式/ブロックスキャン方式
・描画フィールド：50 µm□/100 µm□/200 µm□/500 µm□（ラスタースキャン），2,500 µm□，1ブロック＝2.5 µm□（ブロックスキャン）
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型電子顕微鏡 (High resolutiion scanning electron microscopy)
- 設備ID
- NU-263
- 設置機関
- 名古屋大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-IT800
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：0.01kV～30kV
・ステージバイアス電圧：0〜-5kV
・分解能：0.5nm(15kV)，0.7nm(1kV)
・倍率：～2,000,000
・最大試料サイズ：170mmφ x 45mm
・EDS分析元素範囲：Be〜Cf
- 設備状況
- 稼働中
SEM付集束イオンビーム装置 (Focused ion beam system with SEM)
- 設備ID
- OS-102
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- カールツァイス (Carl Zeiss)
- 型番
- Nvision 40D with NPVE
- 仕様・特徴
- 【特徴】
30kVのGa+イオンによるFIB加工及び加工時のSEM観察が可能。FIBによる気相蒸着によりPtおよびSiO2による配線の修復が可能。
【仕様】
ステージサイズ：max 4 inch
Pt銃、SiO2銃装備
FE-SEMユニット, 加速電圧：30kV
検出器：InLens, SE, Esb
FIBユニット, 加速電圧：30kV
最小ビーム径：4nm
- 設備状況
- 稼働中
フルオート電子ビーム蒸着装置用SEM (Full automatic electron beam evaporation - Scannning Electron Microscope)
- 設備ID
- OS-130
- 設置機関
- 大阪大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Corporation)
- 型番
- FlexSEM1000Ⅱ
- 仕様・特徴
- 【特徴】
本装置は、「クラス最高分可能4nm」と「卓上顕微鏡のような使いやすさ」を両立した、エネルギー分散型X線分析装置 付き簡易型SEM
【仕様】
1.観察倍率： 10 倍～30 万倍
2.加速電圧： 0.3～120kV (20 段階)
3.低真空圧力設定範囲： 6～100Pa (10 段階)
4.試料ステージ可動域：
1) X 軸 0～50mm
2) Y 軸 0～40mm
3) Z 軸 5～30mm
4) T（傾斜） -15～＋90°
5) R（回転） 0～360°
6) ユーセントリックな回転可能
5.最大試料寸法： 80mmφ
6.二次電子検出器： 高真空環境下で使用可能な二次電子専用検出器、および低真空で使用できる検出器（UVD）を搭載
7.反射電子検出器：5 分割以上の検出器構造
8.観察方法：事前に装置付属のカメラで取り込んだ試料ステージの画像情報をもとに、観察可能
9.モニタリング：フィラメントの状態をモニタリング可能
10.EDS：定量補正計算方法にXPP法を使用
- 設備状況
- 稼働中
EBSD解析装置 (EBSD analyzer)
- 設備ID
- RO-522
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7100F
- 仕様・特徴
- 【技術代行専用】
EBSD測定により試料結晶面方位、結晶粒マッピング等の結晶構造解析を行う。
- 設備状況
- 稼働中