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低真空分析走査電子顕微鏡 (Low vacuum analysis scanning electron microscope)
- 設備ID
- MS-202
- 設置機関
- 自然科学研究機構 分子科学研究所
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU6600
- 仕様・特徴
- ショットキー形電子銃
空間分解能1.2nm(30kV)、3.0nm(30kV)
低真空機能（10～300Pa）
EDS（EDX）（BrukerAXS社製 FQ5060/XFlash6）
- 設備状況
- 稼働中
走査電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- NI-019
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech Science Corporation)
- 型番
- S-4700
- 仕様・特徴
- FE-SEM、100倍～500K倍観察、EDX分析装置付属
- 設備状況
- 稼働中
複合ビーム加工観察装置群 (Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscopes)
- 設備ID
- NI-021
- 設置機関
- 名古屋工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子、マイクロサポート (JEOL, Micro Support Co.,Ltd)
- 型番
- JIB-4700F, AxisPro FC
- 仕様・特徴
- 1. FIB：加速電圧1～30kV、ビーム電流1pA ～90nA、倍率×50～×1,000,000
2.SEM：加速電圧1～30kV、倍率×10 ～ 1,000,000
3.最大試料サイズ：Φ30mm×高さ15mm
4.電動マイクロマニピュレーターシステム付設（AxisPro FC: TEM観察薄片のピックアップ用）
- 設備状況
- 稼働中
卓上走査型電子顕微鏡装置群 (Tabletop scanning electron microscope (SEM))
- 設備ID
- NM-006
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- Miniscope TM4000PlusII Miniscope TM3000
- 仕様・特徴
- 【TM4000PlusII】
・倍率：10倍~10万倍
・加速電圧 : 5 kV、10 kV、15 kV、20 kV
・画像信号 : 反射電子, 二次電子
・真空モード：導電体（反射電子のみ）、標準、帯電軽減
・EDX：あり
【TM3000】
・倍率：15倍～3万倍
・加速電圧 : 5 kV、15 kV
・画像信号 : 反射電子のみ
・観察モード：通常、帯電軽減
・EDX：あり
- 設備状況
- 稼働中
ショットキー電界放出型走査電子顕微鏡（JSM-7001F） (Schottky FE-SEM (JSM-7001F))
- 設備ID
- NM-226
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-7001F
- 仕様・特徴
- ・加速電圧：0.5～30 kV
・二次電子像分解能：1.2 nm （加速電圧30 kV）、3.0 nm （加速電圧1 kV）
・倍率：10～1百万倍
・最大試料サイズ：φ100 mm
・反射電子検出器搭載
・加熱ステージ（最高1000℃）
・EDS付属（JED-2300）
・EBSD：TSL OIM
・格子歪み測定プログラムCrossCourt Ver.3、Ver.4+
- 設備状況
- 稼働中
電界放出形走査電子顕微鏡（SU8000） (FE-SEM (SU-8000))
- 設備ID
- NM-227
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8000
- 仕様・特徴
- ・対物レンズ：セミインレンズ型
・加速電圧：0.5～30 kV
・二次電子像分解能：1.0 nm（加速電圧15 kV）、1.4 nm（リターディングモード：照射電圧1 kV）
・倍率：20～80万倍
・反射電子検出器搭載
・STEM（BF）検出器搭載
・EDS付属（Bluker FlatQUAD）
- 設備状況
- 稼働中
電界放出形走査電子顕微鏡（JSM-6500F） (Field Emission Scanning Electron Microscope (JSM-6500F))
- 設備ID
- NM-231
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-6500F
- 仕様・特徴
- ・電界放出形電子銃
・加速電圧：0.5～30 kV
・二次電子像分解能：1.5 nm（加速電圧15 kV）、 5.0 nm（加速電圧1 kV）
・倍率：10～50万倍
・最大試料サイズ：φ100 mm
・反射電子検出器搭載
・EDS付属（JED-2300）
エネルギー分解能：133 eV以下
検出可能元素：B～U
- 設備状況
- 稼働中
走査電子顕微鏡（JSM-6510） (Scanning Electron Microscope（JSM-6510）)
- 設備ID
- NM-232
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-6510
- 仕様・特徴
- ・Wフィラメント電子銃
・加速電圧：0.5～30 kV
・二次電子分解能：3.0 nm（加速電圧30 kV）、 8.0 nm (加速電圧3 kV）、 15.0 nm（加速電圧1 kV）
・倍率：5～30万倍
・最大試料サイズ：φ150 mm
・操作ナビ画面にナビゲーション表示
・試料交換手順はフロー式で初心者でも簡単に試料交換可能
- 設備状況
- 稼働中
微細組織三次元マルチスケール解析装置 (Orthogonal FIB-SEM)
- 設備ID
- NM-302
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SMF-1000
- 仕様・特徴
- 最高1nmピッチで制御可能で，加工と観察を繰り返すこと(シリアルセクショニング)で3D像再構築が可能．更にEBSDを併用した3D-EBSDやTEM試料作製も対応可能．
・SEM：ZEISS Gemini
・EDS：EDAX
・EBSD：EDAX TSL Hikari
・Ar-ion gun
・Depo. gas：Carbon
- 設備状況
- 稼働中
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置 (FIB-SEM combined apparatus for automatic preparation of TEM specimens)
- 設備ID
- NM-403
- 設置機関
- 物質・材料研究機構 (NIMS)
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- NX5000
- 仕様・特徴
- ・FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5－30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
・SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1－30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
・低加速Arイオンビーム：加速電圧0.5－2kV、最大ビーム電流20nA
- 設備状況
- 稼働中