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スピンコータ－ (Spin-coater)
- 設備ID
- GA-003
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ミカサ (MIKASA)
- 型番
- MS-B150
- 仕様・特徴
- 回転塗布式 １ヘッド
真空吸着方式
試料サイズ：最大154mmφ1mmt
回転数：300–7000r.p.m
回転精度：±1r.p.m
回転時間：最大999.9sec（合計）
回転制御：プログラム方式・最大100段入力可
- 設備状況
- 稼働中
デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system)
- 設備ID
- GA-004
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハシノッテク (Hashino-tech)
- 型番
- 10W-IBS
- 仕様・特徴
- 4in-IBS
熱陰極型イオン源:2基（:50～1000eV）
基板加熱温度:最大700゜C
膜形成中のイオン同時照射機能
イオンビ－ムエッチング機能
【ビームガン1：エッチング用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
イオン流密度：0.3～0.6mA/cm2 (500V加速時)
ビーム有効径：φ4インチ(分布測定可能)
真空度：～8ｘ10-5Pa
試料寸法：φ4インチまで
【ビームガン2：デポジション用】
イオン銃：熱陰極型
イオン化ガス：Ar
ビーム電圧：100～1200V
ビーム電流：50～300mA
加速電圧：75～500V
ターゲット：Au、Cr、Tiほか
ステージ角度：ターゲットに対し-90～+90℃設定可
ステージ位置：上下50mm調整可
真空度：～8ｘ10-5Pa
試料寸法：φ4インチまで
- 設備状況
- 稼働中
触針式表面形状測定器 (Stylus-type surface shape measuring system)
- 設備ID
- GA-005
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- Dektak8
- 仕様・特徴
- 測定分解能:最小:0.1nm
垂直分解能/レンジ：1Å/65kÅ、10Å/655kÅ、40Å/2620kÅ
サンプルサイズ：直径210mm
測定長さ：50μm〜50mm
最大サンプリング数：30,000点
測定加重：1〜15mg
自動多点測定数：最高200点
サンプル観察：
トップビュー（低倍率カラー）10mm
サイドビュー（高倍率カラー）1mm
測定再現性:1nm以下
- 設備状況
- 稼働中
白色干渉式非接触三次元形状測定器 (White light interference type non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-007
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ﾌﾞﾙｶｰ･ｴｲｴｯｸｽｴｽ (Bruker)
- 型番
- NT91001A-in motion
- 仕様・特徴
- in-situ駆動観察
測定方式:垂直走査型干渉方式
位相シフト干渉方式
分解能:X,Y方向:1μm
Z方向:0.1～1nm
試料ステージ:6インチ
- 設備状況
- 稼働中
レーザー式非接触三次元形状測定器 (Laser non-contact three-dimensional shape measuring system)
- 設備ID
- GA-008
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 三鷹光器 (Mitaka Kohki)
- 型番
- NH-3N
- 仕様・特徴
- 計測方法:レーザープローブ方式
計測範囲:150mm×150mm×1０mm(X、Y、Z)
測定分解能:0.1×0.1×0.01μm
- 設備状況
- 稼働中
デジタルマイクロスコープ (Digital microscope)
- 設備ID
- GA-009
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイロックス (Hirox)
- 型番
- KH-7700
- 仕様・特徴
- 有効画素数 : 201万画素
最高解像度 : 3000万画素
倍率 : ～400倍
- 設備状況
- 稼働中
ダイシングマシン (Dicing system)
- 設備ID
- GA-010
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- DISCO (Disco)
- 型番
- DAD3220
- 仕様・特徴
- 切削方法：ダイヤモンドブレードを用いた切削
切削可能範囲：Φ6インチ、厚さ1mm程度まで対応可能
加工対象：Si、ガラス、半導体パッケージ、セラミックス、石英、水晶等
切削精度：5μm程度
切削速度：0.1～500mm/sec
- 設備状況
- 稼働中
ウェハプローバ (Wafer prober)
- 設備ID
- GA-011
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- ｶｰﾙ･ｽﾞｰｽ (SUSS MicroTec)
- 型番
- PM5
- 仕様・特徴
- 対応基板サイズ：直径1インチ～150mm
X・Y移動範囲（粗動）：最大150mm×150mm
X・Y移動範囲（微動）：10mm×10mm
Θ調整範囲：360°
高さ調整範囲：10mm
顕微鏡X・Y移動範囲：50mm×50mm
- 設備状況
- 稼働中
エリプソメータ (Film thickness measuring system)
- 設備ID
- GA-012
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- 溝尻光学 (Mizojiri-opt)
- 型番
- DHA-XA/M8
- 仕様・特徴
- 膜厚と屈折率を測定可能
処理物：～12インチウェハ 光源波長：632.8nm（He-Neレーザー）
入射角：55°～75°，90°
入射角設定単位：0.01°
最小分解能：1Å
分布計測分解能：0.01mm
- 設備状況
- 稼働中
白色干渉搭載レーザ顕微鏡 (White light interference type Laser Microscope)
- 設備ID
- GA-014
- 設置機関
- 香川大学
- 設備画像
- メーカー名
- キーエンス (KEYENCE)
- 型番
- VK-X3100
- 仕様・特徴
- 倍率：×42～28,800
視野範囲：11?7398 μm
測定原理：レーザー共焦点、フォーカスバリエーション、白色干渉、分光干渉
レーザ光源波長：半導体レーザ404 nm
- 設備状況
- 稼働中