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湿式微粒化装置(ジェットミル) (Wet type jet-mill)

設備ID
CT-027
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
湿式微粒化装置(ジェットミル)
メーカー名
常光 (JOKOH)
型番
JN20
仕様・特徴
・最小サンプル量:8 ml
・処理可能最高粘度:100,000 cP
・最大流量:35 mL/min
・最大吐出量:200 MPa
・有機溶媒対応(アセトン、トルエン、NMPなど)
設備状況
稼働中

液体クロマトグラフィー質量分析計(LC/MS) (Liquid chromatography-mass spectrometry (LC-MS))

設備ID
CT-028
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
液体クロマトグラフィー質量分析計(LC/MS)
メーカー名
アジレント (Agilent)
型番
6546LC/Q-TOF
仕様・特徴
・分解能:60,000
・高分子量領域:~30,000 m/z
・イオン源:ESI、APCI、マルチモードイオン源、ASAP
設備状況
稼働中

赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉) (Infrared image furnace for single crystal growth (Floating zone furnace))

設備ID
CT-029
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
赤外線加熱単結晶製造装置(FZ炉)
メーカー名
キヤノンマシナリー (Canon Machinery)
型番
SC-M50XS
仕様・特徴
・光源:キセノンランプ
・最高加熱温度:2,700 ℃
・結晶成長速度:0.2~50 mm/h
設備状況
稼働中

試料作製装置群・スピンコーター・スピンコーター・グローブボックス (Sample preparation devices・Spin coater・Spin coater・Glovebox)

設備ID
CT-030
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
試料作製装置群・スピンコーター・スピンコーター・グローブボックス
メーカー名
ミカサ共和理研美輪製作所 (MikasaKYOWARIKENMiwa Manufacturing)
型番
1HD7 K-359S1 下置きガス循環精製装置付パージ式
仕様・特徴
グローブボックス
・パージ式ガス置換型
・サイドボックスのみ真空引ガス置換構造
設備状況
稼働中

屈折率測定装置(プリズムカプラ) (Refractometer (Prism Coupler))

設備ID
CT-031
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
屈折率測定装置(プリズムカプラ)
メーカー名
メトリコン (Metricon)
型番
Model 2010/M
仕様・特徴
・光源波長:633nm(He-Neレーザー)
・屈折率精度:±0.0005
・透明バルクおよび透明フィルムの高精度屈折率
・膜厚と屈折率の同時計測(10~15ミクロン膜厚まで)
設備状況
稼働中

分光蛍光光度計 (Spectrofluorometer)

設備ID
CT-032
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
分光蛍光光度計
メーカー名
日本分光 (JASCO)
型番
FP-8550
仕様・特徴
・測定波長範囲:200~850nm
設備状況
稼働中

X線回折装置(XRD) (X-ray diffractometer (XRD))

設備ID
CT-033
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
X線回折装置(XRD)
メーカー名
ブルカー (Bruker)
型番
D8 DISCOVER
仕様・特徴
・1次元粉末X線測定モジュール
・2次元広角/小角X線測定モジュール
・超小角(USAXS)測定モジュール
・GI-WAXD/SAXS測定モジュール
・高温試料チャンバー(室温~1100℃)
設備状況
稼働中

電子スピン共鳴装置(ESR) (Electron spin resonance spectrometer (ESR))

設備ID
CT-034
設置機関
公立千歳科学技術大学
設備画像
電子スピン共鳴装置(ESR)
メーカー名
ブルカー (Bruker)
型番
E-500
仕様・特徴
・X-band 連続波発振 (約9 G Hz)
・TE011型円筒キャビティ装備(検出感度109 spins/Gauss)
・磁場変調周波数:12.5 KHz or 100 KHz
・外径5 mmφ石英試料管に適合
・簡易的な角度回転測定可能
設備状況
稼働中

電子線描画装置 (Electron beam lithography system)

設備ID
GA-001
設置機関
香川大学
設備画像
電子線描画装置
メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
ELS-7500EX
仕様・特徴
加速電圧:50kV、30kV、20kV
描画可能な最小線幅10nm
フィールドつなぎ精度50nm 以下
描画対象:6インチまで対応可能
所要時間:線幅1μm/2インチウエハ;5~6時間
線幅10nm/2インチウエハ;4日間
設備状況
稼働中

マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system)

設備ID
GA-002
設置機関
香川大学
設備画像
マスクレス露光装置
メーカー名
大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.)
型番
MX-1204
仕様・特徴
DMDによるパターン生成露光、
光源:LD(波長375±5nm)
描画方法:直接描画
描画対象:150mm角、
最小描画精度:最小線幅1μm程度、
アライメント精度±0.15μm
設備状況
稼働中
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