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低加速走査電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-505
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8000
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 0.1 kV～30 kV FE電子銃
・二次電子像分解能 1.0/1.3 nm (15/1 kV)
・EDS分析、元素マッピング
- 設備状況
- 稼働中
低加速高分解能走査電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-506
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S-5500
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 0.1 kV～30 kV FE電子銃
・二次電子像分解能 0.4/1.3 nm (30/1 kV)
- 設備状況
- 稼働中
ショットキー走査型電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UE-022
- 設置機関
- 電気通信大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立 (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU 5000
- 仕様・特徴
- 試料のミクロな表面観察、組成観察（反射電子像）
・加速電圧: 0.5～30 kV（0.1 kVステップ）
・分解能：
二次電子像
1.2 nm（加速電圧30 kV， WD = 5.0 mm）
3.0 nm（加速電圧 1 kV， WD = 3.0 mm）
反射電子像
3.0 nm（加速電圧15 kV， WD = 5.0 mm）
・写真倍率: 10～600,000x
- 設備状況
- 稼働中
低損傷走査型分析電子顕微鏡 (Low Damage Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-101
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7500FA
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
ジェントルビーム機能を搭載し加速電圧1kVで1.4nmの高分解能
□ 主な仕様
・二次電子像分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV）
・倍率：×25～×1,000,000
・加速電圧：0.1kV～30kV
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型分析電子顕微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-102
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7800F Prime
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（1）本体
加速電圧：0.5～30 kV
0.5～2.9 kVは10 Vステップ
2.9～30 kVは100 Vステップ
二次電子分解能：1.0 nm（加速電圧15kV, 通常時）
1.5 nm（加速電圧1kV, 通常時）
0.7 nm（加速電圧15kV, GB時）
1.2 nm（加速電圧1kV, GB時）
0.7 nm（加速電圧1kV, GBSH時）
倍率：×25 ～ 1,000,000
プローブ電流：10-12 ～ 2×10-7 A
（2）エネルギー分散形X線分析装置（JEOL JED-2300F）
検出器：シリコンドリフト検出器
エネルギー分解能：129 eV
検出可能元素：Be ～ U
（3）カソードルミネッセンス測定装置（HORIBA MP-32S）
波長測定領域：185 nm ～ 900 nm（PMT）
200 nm ～ 1100 nm（CCD）
※ 光経路が空気中であるため、紫外領域の感度は低減される
（4）半導体反射電子検出器（RBEI）
（5）走査透過型電子検出器（STEM）
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型電子顕微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-103
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7000F
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧：0.5～30kV 0.5～2.9kVは10Vステップ可変
2.9～30kVは100Vステップ可変
二次電子分解能：1.2nm（加速電圧30kV），3.0nm (加速電圧1kV）
倍率：×10（WD40）～500,000
プローブ電流：10-12～2×10-7A
（２）結晶方位測定装置（株式会社TSLソリューションズ）
ソフトウェアー OIM Ver7.3.1
（３）高感度反射電子検出器
（４）走査透過電子検出器(STEM)
- 設備状況
- 稼働中
低真空走査型電子顕微鏡 (Low-vacuum Scannning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-104
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-6510LA
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（１）本体
加速電圧：0.5～30kV 0.5～3.0kVは100Vステップ可変 3～30kVは1kVステップ可変
二次電子分解能：
高真空モード：3.0nm（加速電圧30kV），15.0nm（加速電圧1kV）
低真空モード：4.0nm（加速電圧30kV）
倍率：×5～300,000
プローブ電流：1pA～1μA
試料室圧力調整範囲：10～270Pa
（２）エネルギー分散型X線分析装置（日本電子）
検出器：エクストラミニカップEDS検出器
エネルギー分解能129eV以下
検出可能元素 Be～U
分析時分解能：3.0nm（加速電圧15kV・プローブ電流15nA・WD10mm）
（３）反射電子検出器（Si P-N複合型半導体検出器）
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型分析電子顕微鏡 (High-resolution scanning analytical electron microscope)
- 設備ID
- UT-105
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-IT800SHL
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（1）本体
加速電圧：0.01～30 kV
0.5～2.9 kVは10 Vステップ
二次電子分解能：1.0 nm（加速電圧15kV, 通常時）
0.5 nm（加速電圧15kV）
0.7 nm（加速電圧1kV）
0.9 nm（加速電圧500V）
写真倍率：×10 ～ 2,000,000
プローブ電流：数 pA～500 nA（30kV）
：数 pA～100 nA（5kV）
（2）エネルギー分散形X線分析装置
検出器：シリコンドリフト検出器 100mm2
エネルギー分解能：129 eV
検出可能元素：Be ～ U
（3）シンチレータ反射電子検出器（SBED）
（4）上方電子検出器（UED）
（5）透過電子検出器（TED）
（6）低真空対応
（7）非暴露対応
- 設備状況
- 稼働中
集束イオンビーム加工観察装置（FIB） (MultiBeam System (FIB))
- 設備ID
- UT-156
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JIB-PS500i
- 仕様・特徴
- □ 特長
・ 高分解能 FE-SEM を搭載し、ピンポイントでの断面作製が可能
・ 高分解能 SEM で FIB 加工状況をリアルタイムにモニタ可能
・ インレンズサーマル電子銃を搭載し、最大 500nA の大電流による安定した高速分析が可能
・ STEM観察が可能（BF,HAADF）
□ 主な仕様
FIB（収束イオンビーム）
・ イオン源：Ga液体金属イオン源
・ 加速電圧：0.5～30kV
・ 倍率：×50～×300,000
・ イオンビーム加工形状：矩形、ライン、スポット
SEM（電子ビーム）
・ 加速電圧：0.01～30kV
・ 倍率：×20～×1,000,000
・ 像分解能：0.7nm（加速電圧15kV）、1.0nm（加速電圧1kV）
- 設備状況
- 稼働中
クロスセクションポリッシャー (Cross Section Polisher)
- 設備ID
- UT-610
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子㈱ (JEOL)
- 型番
- IB15930CP
- 仕様・特徴
- アルゴンプラズマにより試料の観察したい断面出しが容易になる。位置合わせ顕微鏡あり。走査電子顕微鏡撮影用サンプル作製に最適。
- 設備状況
- 稼働中