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断面SEM (FE-SEM)
- 設備ID
- TU-315
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S5000
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片専用
インレンズ式（磁性体導入不可）
- 設備状況
- 稼働中
JEOL FE-SEM (JEOL FE-SEM)
- 設備ID
- TU-316
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子 (JEOL)
- 型番
- JSM-6335F
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～4インチ
EDX付
- 設備状況
- 稼働中
測長SEM (CD-SEM)
- 設備ID
- TU-317
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- CS4800
- 仕様・特徴
- 6、8インチは自動搬送、4インチ以下は手動搬送
計測再現性：1nm(3σ)
- 設備状況
- 稼働中
クイックコータ (Quick coater)
- 設備ID
- TU-318
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- サンユー電子 (Sanyu)
- 型番
- SC-701MkII
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～2インチ
- 設備状況
- 稼働中
パーク・システムズAFM (Park systems AFM)
- 設備ID
- TU-319
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- パーク・システムズ (Park systems)
- 型番
- NX20
- 仕様・特徴
- サンプルサイズ：小片～8インチ
- 設備状況
- 稼働中
低加速走査電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-505
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8000
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 0.1 kV～30 kV FE電子銃
・二次電子像分解能 1.0/1.3 nm (15/1 kV)
・EDS分析、元素マッピング
- 設備状況
- 稼働中
低加速高分解能走査電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- TU-506
- 設置機関
- 東北大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテクノロジーズ (Hitachi High-Tech)
- 型番
- S-5500
- 仕様・特徴
- ・加速電圧 0.1 kV～30 kV FE電子銃
・二次電子像分解能 0.4/1.3 nm (30/1 kV)
- 設備状況
- 稼働中
ショットキー走査型電子顕微鏡 (Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UE-022
- 設置機関
- 電気通信大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立 (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU 5000
- 仕様・特徴
- 試料のミクロな表面観察、組成観察（反射電子像）
・加速電圧: 0.5～30 kV（0.1 kVステップ）
・分解能：
二次電子像
1.2 nm（加速電圧30 kV， WD = 5.0 mm）
3.0 nm（加速電圧 1 kV， WD = 3.0 mm）
反射電子像
3.0 nm（加速電圧15 kV， WD = 5.0 mm）
・写真倍率: 10～600,000x
- 設備状況
- 稼働中
低損傷走査型分析電子顕微鏡 (Low Damage Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-101
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7500FA
- 仕様・特徴
- □ 主な特長
ジェントルビーム機能を搭載し加速電圧1kVで1.4nmの高分解能
□ 主な仕様
・二次電子像分解能：1.0nm（15kV）、1.4nm（1kV）
・倍率：×25～×1,000,000
・加速電圧：0.1kV～30kV
- 設備状況
- 稼働中
高分解能走査型分析電子顕微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- UT-102
- 設置機関
- 東京大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日本電子株式会社 (JEOL Ltd.)
- 型番
- JSM-7800F Prime
- 仕様・特徴
- □ 主な仕様
（1）本体
加速電圧：0.5～30 kV
0.5～2.9 kVは10 Vステップ
2.9～30 kVは100 Vステップ
二次電子分解能：1.0 nm（加速電圧15kV, 通常時）
1.5 nm（加速電圧1kV, 通常時）
0.7 nm（加速電圧15kV, GB時）
1.2 nm（加速電圧1kV, GB時）
0.7 nm（加速電圧1kV, GBSH時）
倍率：×25 ～ 1,000,000
プローブ電流：10-12 ～ 2×10-7 A
（2）エネルギー分散形X線分析装置（JEOL JED-2300F）
検出器：シリコンドリフト検出器
エネルギー分解能：129 eV
検出可能元素：Be ～ U
（3）カソードルミネッセンス測定装置（HORIBA MP-32S）
波長測定領域：185 nm ～ 900 nm（PMT）
200 nm ～ 1100 nm（CCD）
※ 光経路が空気中であるため、紫外領域の感度は低減される
（4）半導体反射電子検出器（RBEI）
（5）走査透過型電子検出器（STEM）
- 設備状況
- 稼働中