LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018)
最終更新日：2025年4月3日
| 設備ID | UT-711 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | LL式高密度汎用スパッタリング装置 (2018) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム2 |
| メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS) |
| 型番 | CFS-4EP-LL !-Miller (2018) |
| キーワード | スパッタ |
| 仕様・特徴 | 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できます。ターゲットはUT-704と共通。 Pt/Au/Cr/Tiを装着。デフォルト以外のターゲットを利用する場合は互換装置のUT-716を利用します。 サイドスパッタ方式、スパッタターゲット：3inchx4、ホルダーサイズ：Φ220mm、到達圧力：5x10E-4 Pa以下、RF50W(DC)、加熱温度：最大300℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-711 |
