不純物ドーピング装置
最終更新日：2025年7月14日
| 設備ID | TH-411 |
|---|---|
| 分類 |
熱処理・ドーピング > イオン注入 熱処理・ドーピング > 拡散 |
| 設備名称 | 不純物ドーピング装置 (Doping system) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | 日新イオン機器, 光洋リンドバーグ (Nissin Ion Equipment, JTEKT Thermo Systems) |
| 型番 | EXCEED2300SDV, Model 272M |
| キーワード | 集積回路製作時のイオン注入または拡散による不純物ドーピング |
| 仕様・特徴 | 【EXCEED2300SDV】 イオンを高エネルギーで加速しウェハへ打ち込む装置。 注入可能イオン：B, BF2, P, Si 加速電圧：10-150kV 対応基板：20mm角～φ8インチ以下 【272M】 Siウェハを1,000℃以上に加熱し、リンを含むガスを流しウェハ内にリンを導入する。 使用温度：1040℃ 使用ガス：POCl3（N2バブリング）, O2, N2 対応基板：Si基板専用 φ4インチ または φ2インチ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-411 |
