酸化・熱処理装置
最終更新日:2025年7月14日
設備ID | TH-401 |
---|---|
分類 |
熱処理・ドーピング > 酸化 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
設備名称 | 酸化・熱処理装置 (Oxidation/Thermal Processing System) |
設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
設置場所 | IRES2 |
メーカー名 | 光洋サーモシステム、光洋リンドバーグ(JTEKTサーモシステム) (JTEKT Thermo Systems) |
型番 | Model 272H-300H15X070H, KTF-050N-PA, Model 272M, KTF773N-AS |
キーワード | 酸化、熱処理、フォーミングガスアニール |
仕様・特徴 | 酸素・水素・窒素ガス雰囲気中でSiウェハの酸化・熱処理を行う。 【272H】 パイロジェニック酸化対応炉4本、ドライ酸化対応炉2本 使用温度:800-1050℃(一部1150℃) 使用可能ガス:O2, N2, H2(炉によって制限あり) 対応基板:Si基板専用 φ4インチ 以下 【KTF-050N-PA】 使用温度:800-1050℃ 使用可能ガス:O2, N2, H2(炉によって制限あり) 対応基板:φ4インチ 以下 【272M】 使用温度:400-700℃ 使用可能ガス:N2, フォーミングガス 対応基板:φ4インチ 以下 【KTF773N-AS】 使用温度:400-700℃ 使用可能ガス:N2, フォーミングガス 対応基板:Si基板専用 φ4インチ 以下 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-401 |