ドライ加工プロセス装置
最終更新日：2025年7月14日
| 設備ID | TH-301 |
|---|---|
| 分類 |
膜加工・エッチング > プラズマエッチング 表面処理・洗浄 > プラズマ処理 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
| 設備名称 | ドライ加工プロセス装置 (Dry etching system) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | サムコ, キヤノンアネルバ, アルバック, SPPテクノロジーズ (Samco, Canon Anelva, ULVAC, SPP Technologies) |
| 型番 | RIE-200NL, RIE-200F, RIE-101iPH, PX-250M, PC-1100, UV-300, UV-1, L-415D-L, CE-300I, APX-Sirius, MUC21-RD, Xetech E1 |
| キーワード | 集積回路、MEMS/センサデバイスのドライプロセス加工 |
| 仕様・特徴 | 【RIE-200NL, L-415D-L】 プラズマ化したガスにより金属系材料を除去する。 プラズマ生成方式：平行平板型 使用可能ガス：Cl2, BCl3, CF4, CHF3, SF6, O2, N2 対応試料：φ8インチ以下 【RIE-200F, L-415D-L】 プラズマ化したガスによりSi系材料を除去する。平行平板型 プラズマ生成方式：平行平板型 使用可能ガス：CF4, CHF3, SF6, O2, N2 対応試料：φ8インチ以下 【APX-Sirius】 プラズマ化したガスによりSi系材料を除去する。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：CF4, CHF3, SF6, O2, N2 対応試料：φ4インチ専用 【CE-300I】 プラズマ化したガスにより酸化物および貴金属材料の除去を行う。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：Ar, Cl2, BCl3, CF4, CHF3, C4F8,（組み合わせに制限有り） 対応試料：φ4インチ専用 【RIE-101iPH】 り難加工性の高い窒化物半導体(GaN）系材料のエッチングを行う。 プラズマ生成方式：ICP型 使用可能ガス：Cl2, SiCl4 対応試料：φ4インチおよび小片チップ 【MUC21-RD】 ボッシュプロセス装置 対応基板：φ4インチ Siウェハ専用 【Xetech E1】 XeF2ガスによりSiを選択的に除去する。 対応基板サイズ：φ4インチ 以下 【PX-250M、PC-1100】 酸素プラズマとCF4ガスによるレジストを除去。O2ガスプラズマによる表面改質 使用ガス：O2, CF4 【UV-1, UV-300】 UV・オゾンにより試料表面の改質処理を行う。 使用ガス：O2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-301 |
