LPCVD装置
最終更新日：2025年7月14日
| 設備ID | TH-221 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | LPCVD装置 (LPCVD system) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | ディー・エス・アイ (DSI) |
| 型番 | DJ-11S689-M |
| キーワード | 集積回路、MEMS/センサデバイスへのポリSi、SiO2、Si3N4膜堆積 |
| 仕様・特徴 | 化学気相成長法により多結晶Si、Si窒化膜、Si酸化膜を形成する。 温度：500-850℃ 対応基板：Siウェハ専用 基板サイズ：φ4インチ 以下 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-221 |
