絶縁膜成膜装置
最終更新日：2025年7月14日
| 設備ID | TH-202 |
|---|---|
| 分類 |
成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） 成膜装置 > 蒸着(抵抗加熱、電子線) |
| 設備名称 | 絶縁膜成膜装置 (Dielectric Deposition System) |
| 設置機関 | 豊橋技術科学大学 |
| 設置場所 | IRES2 |
| メーカー名 | キヤノンアネルバ, 日本パリレン (Canon Anelva, Parylene Japan) |
| 型番 | E-401S, EB-1100, PDS2010 |
| キーワード | MEMS/センサ、光学デバイス用酸化膜成膜 |
| 仕様・特徴 | 各種絶縁膜材料の成膜 【E-401S】 方式：RFスパッタ 対応試料：φ4インチ3枚 材料：Ta2O5 【EB-1100】 方式：RFスパッタ 対応試料：φ4インチ3枚 材料：SiO2、SiN 【PDS2010】 方式：抵抗加熱 対応試料：100mm角以下 材料：Parylene-C, N その他パリレン材料持ち込み可 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=TH-202 |
