原子層堆積(ALD)製膜装置
最終更新日：2025年4月3日
| 設備ID | UT-717 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積(ALD)製膜装置 (Atomic Layer Deposition Apparatus) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
| メーカー名 | オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments) |
| 型番 | FlexAL ALD |
| キーワード | ALD, 原子層堆積 |
| 仕様・特徴 | サーマル方式とリモートズマ方式のALDができます。チャンバーを150℃まで加熱し水分除去とプリカーサの徐記促進が可能です。 ・ロードロック方式 ・基板サイズ 2,3,4,6,8インチ、8インチ以下の不定形基板 ・下部電極は550℃まで昇温可能。バイアス電圧は0から-200V。 ・Ru, TaN, SiO2の成膜が可能。成膜材料についてはご相談承ります。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.go.jp/user_report.php?keyword=UT-717 |