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異種材料集積ハイブリッド光回路の作製 -RIEによるリッジ形成-
装置・プロセス:
IT-013:ICPリアクテブイオンエッチング装置
ファイル数:
55
ファイルサイズ:
1.73MB
課題番号:
JPMXP1223IT0005
課題名:
異種材料集積ハイブリッド光回路の作製
実施機関:
東京科学大学(旧東京工業大学)
登録日:
2025.7.9
ページビュー:
304
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InPリッジ導波路断面形状のICP Power, Bias Power依存性
doiJAMP-9500FによるAESの角度分解測定データセット (280データ)
装置・プロセス:
NM-208:走査型オージェ電子分光分析装置
ファイル数:
1400
ファイルサイズ:
188.02MB
課題番号:
JPMXP1224NM2201
課題名:
オージェ電子分光装置JAMP-9500Fによる参照オージェスペクトル
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2024.12.17
ページビュー:
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24NM2201-NM208-02_Si-Angle-data022.A.png
doiALD成膜テストデータの取得 (NPF ALDデータベースシステムとの連携)[FY2022_ARIM Data FS]_HK-616:NPF_SUNALE-R
装置・プロセス:
HK-616:原子層堆積装置
ファイル数:
114
ファイルサイズ:
1.33MB
課題番号:
JPMXP1222HK9004
課題名:
ALD成膜テストデータの取得(NPF ALDデータベースシステムとの連携)
実施機関:
北海道大学
登録日:
2024.11.13
ページビュー:
302
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グレースケール露光によるマイクロ流体デバイスの高精度設計
装置・プロセス:
MS-101:マスクレス露光装置
ファイル数:
5
ファイルサイズ:
135.67KB
課題番号:
JPMXP1222MS3002
課題名:
分裂酵母ライブイメージングとデバイス内部からの選択的回収
実施機関:
自然科学研究機構
登録日:
2025.10.22
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doi22NI0402_酸化鉄ナノ粒子の57Feメスバウアー分光測定
装置・プロセス:
NI-004:メスバウアー分光装置群
ファイル数:
23
ファイルサイズ:
1.98MB
課題番号:
JPMXP1222NI0402
課題名:
酸化鉄ナノ粒子の57Feメスバウアー分光測定
実施機関:
名古屋工業大学
登録日:
2025.5.26
ページビュー:
303
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Mag80_78K.png
doi500MHz固体高分解能NMRシステムによるカルシウムシリケート水和物の構造の金属イオンの吸着挙動
装置・プロセス:
NM-102:500MHz固体高分解能NMRシステム
ファイル数:
10
ファイルサイズ:
2.33MB
課題番号:
JPMXP1222NM0066
課題名:
カルシウムシリケート水和物の構造の金属イオンの吸着挙動
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2025.11.25
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22NM0066_NM-102
doiNMRを用いたポリロタキサン架橋コラーゲン糸の力学特性評価
装置・プロセス:
NM-001:NMR
ファイル数:
265
ファイルサイズ:
54.47MB
課題番号:
JPMXP1222NM0026
課題名:
ポリロタキサン誘導体の合成確認と反応条件の適正化
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2025.6.26
ページビュー:
301
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22NM0026_NMR
doi高圧下での新規La-Ni水素化物の形成過程の観測
装置・プロセス:
QS-141:高温高圧プレス装置
ファイル数:
640
ファイルサイズ:
258.43MB
課題番号:
JPMXP1222QS0007
課題名:
高圧下での新規La-Ni水素化物の形成過程の観測
実施機関:
量子科学技術研究開発機構
登録日:
2025.6.25
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thumbnail
doiNR-204 走査透過電子顕微鏡(日立ハイテク製 HD-2700)による金ナノ粒子の観察事例
装置・プロセス:
NR-204:走査透過電子顕微鏡(STEM)
ファイル数:
12
ファイルサイズ:
2.43MB
課題番号:
JPMXP1225NR9001
課題名:
マテリアル研究プラットフォームセンターにおける機器・分析事例データ
実施機関:
奈良先端科学技術大学院大学
登録日:
2025.5.29
ページビュー:
240
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1_zc_7000k.jpg
doi22NI5301_Mn系次世代電池の負極Li-C材料の室温合成
装置・プロセス:
NI-104:中規模カーボンナノファイバー室温合成装置
ファイル数:
4
ファイルサイズ:
35.54KB
課題番号:
JPMXP1222NI5301
課題名:
Mn系次世代電池電極材料の開発
実施機関:
名古屋工業大学
登録日:
2025.5.28
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真空下焼成Li2Mn08Al02O3充放電とサイクル特性.png
doiマイクロ流体デバイスを用いたリアルタイム化学合成観察に向けた金属錯体の効率的な合成(S5500)
装置・プロセス:
WS-013:電界放出型 走査電子顕微鏡
ファイル数:
9
ファイルサイズ:
897.52KB
課題番号:
JPMXP1222WS0084
課題名:
マイクロ流体デバイスを用いたリアルタイム化学合成観察に向けた金属錯体の効率的な合成(S5500)
実施機関:
早稲田大学
登録日:
2025.6.2
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Fig. 1 SEM image of a fabricated Si
doiGaAs基板上のEBレジスト(AR-P6200)のコントラストカーブ
装置・プロセス:
NM-635:電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
ファイル数:
52
ファイルサイズ:
10.63MB
課題番号:
JPMXP1225NM2001
課題名:
GaAs基板上EBレジスト(AR-P6200)のコントラストカーブの現像条件依存性
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2025.8.26
ページビュー:
259
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AR-P6200_on_GaAs.png
doi発光賦活希土類イオンEu3+ を添加したCa2SnO4 赤色蛍光体のSTEM観察
装置・プロセス:
NU-102:高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡システム
ファイル数:
163
ファイルサイズ:
146.48MB
課題番号:
JPMXP1222NU0058
課題名:
先端電子顕微鏡群によるナノ材料の物性解析及び可視化
実施機関:
名古屋大学
登録日:
2025.5.22
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ADF-STEM_000
doi成膜装置による膜特性の差異確認(2022年度:EBX-6D)
装置・プロセス:
WS-003:電子ビーム蒸着装置
ファイル数:
32
ファイルサイズ:
241.77KB
課題番号:
JPMXP1222WS0004
課題名:
成膜装置による膜特性の差異確認
実施機関:
早稲田大学
登録日:
2024.11.11
ページビュー:
301
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Fig.1 EB蒸着 SiO2 Breakdown voltage(MV/cm)
doi機能性無機材料の試料微細構造と電子物性の相関に関する研究【HK-702_MA-6】
装置・プロセス:
HK-702:両面マスクアライナ
ファイル数:
57
ファイルサイズ:
1.13MB
課題番号:
JPMXP1222HK0016
課題名:
機能性無機材料の試料微細構造と電子物性の相関に関する研究
実施機関:
北海道大学
登録日:
2025.10.9
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doi水蒸気二流体による金(Au)薄膜のリフトオフ
装置・プロセス:
NM-668:蒸気二流体洗浄装置 [SSM101]
ファイル数:
6
ファイルサイズ:
323.12KB
課題番号:
JPMXP1225NM2004
課題名:
水蒸気二流体による金(Au)薄膜のリフトオフ
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2025.5.27
ページビュー:
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doiGaAs基板上のEBレジスト(ZEP520A)のコントラストカーブ
装置・プロセス:
NM-635:電子ビーム描画装置 [ELS-BODEN100]
ファイル数:
90
ファイルサイズ:
18.17MB
課題番号:
JPMXP1225NM2008
課題名:
GaAs基板上EBレジスト(ZEP520A)のコントラストカーブの現像条件依存性
実施機関:
物質・材料研究機構
登録日:
2025.8.26
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ZEP520A_on_GaAs.png
doi深掘りエッチング装置レシピ一覧SEM像付きリファレンスデータ
装置・プロセス:
OS-109:深掘りエッチング装置
ファイル数:
70
ファイルサイズ:
3.59MB
課題番号:
JPMXP1225OS9001
課題名:
阪大 産研 スタッフデータ 2025
実施機関:
大阪大学
登録日:
2025.10.17
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Recipe#1_High Rate Etch
doi2,5ジアミノナフタレンの分子構造解析
装置・プロセス:
JI-007:液体クロマトグラフ質量分析計
ファイル数:
5
ファイルサイズ:
364.57KB
課題番号:
JPMXP1224JI2004
課題名:
2,5ジアミノナフタレンの分子構造解析
実施機関:
北陸先端科学技術大学院大学
登録日:
2024.12.16
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Diaminonaphtalene
doi熱刺激電流(TSC)の可視化解析技術による電気・電子材料の欠陥評価
装置・プロセス:
IT-004:マスクレス露光装置
ファイル数:
7
ファイルサイズ:
318.22KB
課題番号:
JPMXP1222IT0060
課題名:
熱刺激電流(TSC)の可視化解析技術による電気・電子材料の欠陥評価
実施機関:
東京科学大学(旧東京工業大学)
登録日:
2025.7.10
ページビュー:
299
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2インチGaAs基板上に作製されたTSC測定用チップ