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doiカーボンの薄片上の金属微粒子の試料作製と観察/Sample Preparation and TEM Observation of Metal Nanoparticles on Carbon Thin Films
課題名:
カーボンの薄片上の金属微粒子の試料作製と観察
課題番号:
JPMXP1225NU0036
ファイル数:
79
実施機関:
名古屋大学
装置・プロセス:
NU-103:高分解能透過電子顕微鏡システム
登録日:
2025.8.26
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Sample1-0-15k
doiICP-RIE_Spicaにおけるガス流量及び圧力とエッチング形状に関する実験 [プロセスデータ編]
課題名:
ICP-RIE_Spicaにおけるガス流量及び圧力とエッチング形状に関する実験
課題番号:
JPMXP1225NM2032
ファイル数:
50
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NM-662:低ダメージ精密エッチング装置 [Spica]
登録日:
2025.10.2
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p
doiスパッタ成膜したAl膜の結晶構造のXRD評価
課題名:
名古屋大学加工FSデータ
課題番号:
JPMXP1223NU5201
ファイル数:
18
実施機関:
名古屋大学
装置・プロセス:
NU-203:薄膜X線回折装置
NU-205:3元マグネトロンスパッタ装置
登録日:
2023.10.27
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doiレジスト膜厚の温度・粘度依存性
課題名:
膜厚制御に向けたSU-8フォトレジストの温度・粘度・膜厚の計測
課題番号:
JPMXP1224GA2009
ファイル数:
72
実施機関:
香川大学
装置・プロセス:
GA-003:スピンコータ-
GA-016:光干渉式膜厚測定装置
登録日:
2025.4.16
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dataset_picture_20250311.png
doiオックスフォードインスツルメント社製ALD装置〔FlexAL〕を用いたALD成膜レシピとその膜特性(2022年度)
課題名:
ALD成膜基礎データ(2022年)
課題番号:
JPMXP1222AT0458
ファイル数:
41
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-102:原子層堆積装置_3〔FlexAL〕
登録日:
2025.10.21
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0204-02-3-040-01.png
doiArイオンビームミリング法によるピラー加工形状の基板傾斜角による違いと時間変化
課題名:
SiO2のドライエッチング
課題番号:
JPMXP1225NM2010
ファイル数:
88
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NM-669:イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]
登録日:
2025.8.27
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doiOLED材料の大気中光電子収量分光データセット/Ambient Photoelectron Yield Spectroscopy Dataset of OLED Materials
課題名:
大気中光電子収量分光の有機半導体の標準データ
課題番号:
JPMXP1225NM2501
ファイル数:
243
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NMZ-001 大気中光電子収量分光(PYS)
登録日:
2025.8.7
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doiX線回折装置(XRD)の加工データ集(ALD_ZrO2薄膜_温度依存性)(2023年度)
課題名:
AIST NPF加工データ集(2023年)
課題番号:
JPMXP1223AT0099
ファイル数:
10
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-070:X線回折装置(XRD)
登録日:
2025.10.21
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ZrO2_T150R_320cycle.png
doiスパッタ成膜したAl膜の表面形状のAFM評価
課題名:
名古屋大学加工FSデータ
課題番号:
JPMXP1223NU5201
ファイル数:
42
実施機関:
名古屋大学
装置・プロセス:
NU-205:3元マグネトロンスパッタ装置
NU-204:原子間力顕微鏡
登録日:
2024.10.29
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Al:0.5Pa, 100nm
電極材料の微構造観察
課題名:
電極材料の評価
課題番号:
JPMXP1224UT9001
ファイル数:
46
実施機関:
東京大学
装置・プロセス:
UT-101:低損傷走査型分析電子顕微鏡
登録日:
2025.3.12
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LCO正極
doiサムコ社製ALD装置〔AD-100LP〕を用いたALD成膜レシピとその膜特性
課題名:
ALD成膜基礎データ(2022年)
課題番号:
JPMXP1222AT0458
ファイル数:
65
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-099:サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
登録日:
2025.10.14
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0016-00-3-010-01.png
doiICP-RIEによるSiO2エッチングのRF電源出力依存性
課題名:
CHF3ガスによるSiO2エッチングのRF電源出力依存性
課題番号:
JPMXP1224NM2001
ファイル数:
47
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NM-662:低ダメージ精密エッチング装置 [Spica]
NM-621:FE-SEM [S-4800]
登録日:
2024.10.31
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X線光電子分光を用いた単結晶モデル光触媒のX線光電子分光による表面組成分析の研究
課題名:
単結晶モデル光触媒のX線光電子分光による表面組成分析
課題番号:
JPMXP1223MS5043
ファイル数:
59
実施機関:
自然科学研究機構
装置・プロセス:
MS-213:X線光電子分光
登録日:
2025.11.28
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9b544763-f0c2-4d26-96de-7755f10f7e13
doiMonochromated EELS of NiO
課題名:
Monochromated EELS of NiO
課題番号:
JPMXP1222NM1004
ファイル数:
12
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NM-402:単原子分析電子顕微鏡
登録日:
2023.10.27
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doiAl膜のスパッタ成膜
課題名:
名古屋大学加工FSデータ
課題番号:
JPMXP1223NU5201
ファイル数:
18
実施機関:
名古屋大学
装置・プロセス:
NU-205:3元マグネトロンスパッタ装置
登録日:
2024.10.29
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doiプラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)の加工データ集(SiN膜 LAL200ウェットエッチング)(2023年度)
課題名:
AIST NPF加工データ集(2023年)
課題番号:
JPMXP1223AT0099
ファイル数:
24
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-081:プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)
登録日:
2025.10.21
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エッチング深さのLAL200浸漬時間依存性.png
doi蒸気二流体によるパラジウム(Pd)薄膜のリフトオフ
課題名:
蒸気二流体によるパラジウム(Pd)薄膜のリフトオフ
課題番号:
JPMXP1225NM2013
ファイル数:
409
実施機関:
物質・材料研究機構
装置・プロセス:
NM-668:蒸気二流体洗浄装置 [SSM101]
登録日:
2025.11.6
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S1_06_x10k
doiOS-104:ELS-BODEN:細線描画時の最適Doseの検討
課題名:
阪大 産研 スタッフデータ 2025
課題番号:
JPMXP1225OS9001
ファイル数:
18
実施機関:
大阪大学
装置・プロセス:
OS-104:自動搬送電子ビーム描画装置
登録日:
2025.10.20
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ZEP適正ドーズ
doiSi深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕の加工データ集(熱酸化SiO2膜 エッチング条件だし)(2023年度)
課題名:
AIST NPF加工データ集(2023年)
課題番号:
JPMXP1223AT0099
ファイル数:
98
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-101:Si深堀エッチング装置〔PlasmaPro_100〕
登録日:
2025.10.21
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SiO2 Etching_Run13_01.jpeg
doiPHI-QuanteraⅡの日常点検データ(2023年度)
課題名:
光電子分光装置の日常点検データ(2023年度)
課題番号:
JPMXP1223AT0423
ファイル数:
3678
実施機関:
産業技術総合研究所
装置・プロセス:
AT-103:原子層堆積装置_3付帯XPS装置(アルバック・ファイ)
登録日:
2025.10.14
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ck.4000~25_Cu2p_gbp_rank8_numPeak4_shirley_mSG2624_result.png