データセット名：ALD-SiO2のプロセス評価
課題名：ALD法によるSiO2膜またはSiN膜の評価
データセット登録者（所属機関）：Kobayashi Akiko（メルクエレクトロニクス株式会社）
- 課題番号：
- JPMXP1222AT0319
- 実施機関：
- 産業技術総合研究所
要約
サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP] {NPF099}を使用して、原料BDEASを用いて、ALDによりSiO2膜を成膜した。中心条件をベースに、GPCの原料の供給時間 (dose time)と、プラズマ（ダイレクトorリモート）の印加時間（RF time）の依存性を調べた。また、4インチ基板内の均一性(NU)も示した。ウェットエッチングレート（WER）および昇温脱離ガス質量分析(TDS)についても調査した。
利用した装置：AT-099：サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
プリカーサ：BDEAS
酸化剤：O2プラズマ（ダイレクトorリモート）、ピュアオゾン
目的：ALD-SiO2のプロセス評価（GPC、NU、WER、TDS）
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2024.11.01
- エンバーゴ解除日：
- 2023.09.30
- データセットID：
- 552475db-be09-4d9e-a234-488b97c5c9bf
- データタイル数：
- 41
- ファイル数：
- 124
- ファイルサイズ：
- 6.3MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス