データセット名：GaN薄膜の原子層堆積
課題名：原子層堆積装置を用いたALD成膜実験
データセット登録者（所属機関）：MIZUTANI, Fumikazu（高純度化学研究所）
- 課題番号：
- JPMXP1222AT0056
- 実施機関：
- 産業技術総合研究所
要約
GaCp*（ペンタメチルシクロペンタジエニルガリウム、GaC5(CH3)5）とNH3/H2プラズマおよびN2プラズマを用いて、GaN薄膜の原子層堆積（ALD）を行った。
利用した装置：AT-031：原子層堆積装置_1[FlexAL]
プリカーサ：GaCp*（ペンタメチルシクロペンタジエニルガリウム、GaC5(CH3)5）
反応剤：NH3/H2プラズマおよびN2プラズマ
目的：GaC5(CH3)5を用いたGaN薄膜の原子層堆積条件の検討と分析用サンプル作製
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2024.11.01
- エンバーゴ解除日：
- 2023.09.30
- データセットID：
- ab124648-96b2-4464-80fe-5b0a84e759a0
- データタイル数：
- 45
- ファイル数：
- 95
- ファイルサイズ：
- 1.65MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス