データセット名：高純度オゾンを用いたALD Al2O3膜および SiO2膜の特性評価
課題名：高純度オゾンを用いた低温成膜に関する研究
データセット登録者（所属機関）：KAMEDA, Naoto （明電舎）
- 課題番号：
- JPMXP1222AT0049
- 実施機関：
- 産業技術総合研究所
要約
半導体デバイスの高集積化に伴う金属酸化物薄膜の精密な膜厚制御と成膜プロセスの低温化の要求に対し原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ALD）法が注目されている。ALDの酸化源は水およびオゾンおよびプラズマ等幾つかある。高純度オゾンガス酸化源（~100vol%）としたALDは報告例が少なく、また他の酸化種を用いた場合と同一ALD炉を用いて比較したものが存在しない。我々は、高純度オゾンガス（~100vol%）および酸素プラズマにより同一炉にてALDを実施しAl2O3膜および SiO2膜の特性評価を行った。
利用した装置：AT-099：サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]
プリカーサ：TMAおよびBDEAS
酸化剤：水、ピュアオゾンおよびO2プラズマ
目的：温度および酸化剤を変更した時のGPC、屈折率、応力、比誘電率（Al2O3）についての特性評価
キーワード・タグ
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データメトリックス
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- 682
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データインデックス
- 登録日：
- 2024.11.01
- エンバーゴ解除日：
- 2023.09.30
- データセットID：
- 31040174-2643-4109-83bd-1e9a7ad48d8e
- データタイル数：
- 87
- ファイル数：
- 226
- ファイルサイズ：
- 5.11MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス