データセット

データセット名:プラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)の加工データ集(SiN膜 LAL200ウェットエッチング)(2023年度)

課題名:AIST NPF加工データ集(2023年)

データセット登録者(所属機関):ARIMOTO, Hiroshi (産業技術総合研究所)

課題番号:
JPMXP1223AT0099
実施機関:
産業技術総合研究所

要約

国立研究開発法人 産業技術総合研究所 ナノプロセシング施設(Nano-Processing Facility:NPF)では、ナノエレクトロニクス等の研究開発に必要不可欠な、微細加工、実装、計測・評価、デバイス試作のための先端機器を、産学官の研究者及び技術者に提供しています。NPFに設置されているプラズマCVD薄膜堆積装置(SiN)を用いて、2023年度にスタッフデータとして取得した200℃および300℃標準レシピで作製したSiN膜のLAL200ウェットエッチング耐性に関する検証データを紹介します。

エッチング深さのLAL200浸漬時間依存性.png
SiN_200℃レシピ_エッチング深さのLAL浸漬時間依存性.png

キーワード・タグ

重要技術領域(主):
重要技術領域(副):
横断技術領域:
マテリアルインデックス:
キーワードタグ:

データメトリックス

ページビュー:
101
ダウンロード数:
26

データインデックス

https://doi.org/10.71947/arim.jpmxp1223at0099-1
登録日:
2025.10.21
エンバーゴ解除日:
2023.04.30
データセットID:
3abb3a63-b50b-4798-af8c-2c4b5ee27dff
データタイル数:
2
ファイル数:
24
ファイルサイズ:
3.23MB
ライセンス:

成果発表・成果利用