課題番号：

JPMXP1223GA0111

実施機関：

香川大学

要約

光学素子作製プロセス検討のため、成膜、フォトリソグラフィ、エッチングプロセスを実施した。
4インチ径シリコン基板およびサファイア基板を用い、デュアルイオンビームスパッタ装置（GA-004、ハシノテック 10W-IBS）によりSi膜の成膜を行った。成膜後、両面マスクアライナー（ARIM未登録、SUSS MicroTec MA6/BA6）を用いて評価用パターンのフォトリソグラフィを行った。パターニング後、シリコン深堀エッチング装置（ARIM未登録、SPP Technologies MUC-21 ASE-Pegasus）を用いてドライエッチングを実施し、反応性イオンエッチング装置（ARIM未登録、サムコ RIE-10NR、登録外機器）によるO₂アッシングによりレジスト除去を行った。
別途カプトンテープを貼付けシリコン深堀エッチングすることで簡易的にエッチングレート測定を行った。このサンプルは、加工後の表面をショットキー電界放出形走査電子顕微鏡（GA-013、JEOL JSM-IT800SHL）、触針式表面形状測定器（ARIM未登録、Bruker DektakXT）で観察した。
本データセットは、シリコン深堀エッチング装置でドライエッチングを行ったDRIE工程を示す。
> 関連データセット：
> 光学素子作製プロセス技術と評価技術の検討(23)_Lithography
> 光学素子作製プロセス技術と評価技術の検討(23)_RIE
> 23GA0112 光学素子作製後工程_Dicing