データセット名：光学素子作製プロセス技術と評価技術の検討(23)_Lithography
課題名：光学素子作製プロセス技術の検討
データセット登録者（所属機関）：MIKAMI, Hirosuke（徳島大学）
- 課題番号：
- JPMXP1223GA0111
- 実施機関：
- 香川大学
要約
光学素子作製プロセス検討のため、成膜、フォトリソグラフィ、エッチングプロセスを実施した。
4インチ径シリコン基板およびサファイア基板を用い、デュアルイオンビームスパッタ装置（GA-004、ハシノテック 10W-IBS）によりSi膜の成膜を行った。成膜後、両面マスクアライナー（ARIM未登録、SUSS MicroTec MA6/BA6）を用いて評価用パターンのフォトリソグラフィを行った。パターニング後、シリコン深堀エッチング装置（ARIM未登録、SPP Technologies MUC-21 ASE-Pegasus）を用いてドライエッチングを実施し、反応性イオンエッチング装置（ARIM未登録、サムコ RIE-10NR）によるO₂アッシングによりレジスト除去を行った。
本データセットは両面マスクアライナーを用いてレジストパターニングを行ったLithography工程を示す。
> 関連データセット：
> 光学素子作製プロセス技術と評価技術の検討(23)_RIE
> 光学素子作製プロセス技術と評価技術の検討(23)_DRIE
> 23GA0112 光学素子作製後工程_Dicing
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.05.07
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- 93dce8b6-86d8-4d4d-bdca-00ea39732fa7
- データタイル数：
- 3
- ファイル数：
- 9
- ファイルサイズ：
- 557.45KB
- ライセンス：
- ARIMライセンス