データセット名：原子層堆積装置を用いたALD成膜実験(ALD)
課題名：原子層堆積装置を用いたALD成膜実験
データセット登録者（所属機関）：MIZUTANI, Fumikazu （高純度化学研究所）
- 課題番号：
- JPMXP1224AT0127
- 実施機関：
- 産業技術総合研究所
要約
GaCp*（ペンタメチルシクロペンタジエニルガリウム、GaC5 (CH3
)5）とH2プラズマおよびN2プラズマを用いて、GaN薄膜の原子層堆積（ALD）を行った。2022年度～2023年度の実験（原料温度60℃、Vapor draw type、キャリアガス流量250sccm）では、NH3/H2プラズマおよびN2プラズマを用いたALDについて調べたが、基板のエッチングやチャンバー由来の汚染のような現象が観察されていた。
これは、NH3プラズマの影響と推定して、今回はNH3/H2プラズマのかわりにH2プラズマを用いたALDを検討した。
キーワード・タグ
- 重要技術領域（主）：
- 重要技術領域（副）：
- 横断技術領域：
- マテリアルインデックス：
- キーワードタグ：
データメトリックス
- ページビュー：
- 565
- ダウンロード数：
- 1
データインデックス
- 登録日：
- 2025.05.20
- エンバーゴ解除日：
- 2025.05.01
- データセットID：
- e489f1bf-7d9d-4f1b-95da-d3e88b58f526
- データタイル数：
- 85
- ファイル数：
- 273
- ファイルサイズ：
- 3.25MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス