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データセット名:酸化インジウム薄膜の結晶性評価 【HK-101_Titan3 G2 60-300_TEM】

課題名:酸化インジウム薄膜の結晶性評価

データセット登録者(所属機関):FURUTA, Mamoru(高知工科大学)

課題番号:
JPMXP1223HK0102
実施機関:
北海道大学

要約

金属酸化物半導体を用いた高移動度薄膜トランジスタ(TFT)研究では、酸化インジウム成膜時に水素をドープし、結晶化過程の詳細を観察しました。電界放出型走査電子顕微鏡のEBSD分析を用いて、結晶核密度、結晶粒径、Hall移動度の関係を評価し、透過電子顕微鏡での界面特性も解析しました。また固相結晶化の時間変化観察より、結晶核密度ならびに横方向結晶加速度を抽出し、詳細を論文化(DOI:10.35848/1347-4065/ad21ba)した。

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データメトリックス

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63
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データインデックス

https://doi.org/10.71947/arim.jpmxp1223hk0102-1
登録日:
2026.05.13
エンバーゴ解除日:
2026.03.31
データセットID:
b93aaa12-fc10-4991-a520-8bfe9e7ae020
データタイル数:
1
ファイル数:
5
ファイルサイズ:
26.58MB
ライセンス:
ARIMライセンス

成果発表・成果利用

論文等1:
Xiaoqian Wang, Nucleation and grain growth in low-temperature rapid solid-phase crystallization of hydrogen-doped indium oxide, Japanese Journal of Applied Physics, 63, 03SP38(2024).
DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad21ba