データセット名：電子銃型蒸着装置 [MB-501010]による半導体ナノ構造の形成制御と機能化（2023年度）
課題名：半導体ナノ構造の形成制御と機能化
データセット登録者（所属機関）：FUKATA, Naoki（NIMS）
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5171
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
IV族材料であるGeSnの光学特性発現のため、GeSnの結晶成長と光学パターニング形成技術開発を行った。
分子線エピタキシー法を用いて形成したGeSn/Ge基板に対し、RIEとフッ化水素酸エッチングを行い、そのエッチング特性を評価した。
ここでは電子銃型蒸着装置 [MB-501010]を用いた実験結果を掲載する。
キーワード・タグ
- 重要技術領域（主）：
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データメトリックス
- ページビュー：
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.06.04
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- 10433032-d97d-4e3a-8ec1-de009c7bfdf4
- データタイル数：
- 12
- ファイル数：
- 36
- ファイルサイズ：
- 495.69KB
- ライセンス：
- ARIMライセンス
装置・プロセス
成果発表・成果利用
- 論文等1：
-
Rahmat Hadi Saputro, Highly strained and heavily doped germanium thin films by non-equilibrium high-speed CW laser annealing for optoelectronic applications, Materials Science in Semiconductor Processing, 162, 107516(2023).
DOI: https://doi.org/https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107516